PZT／ZnO薄膜制备及其结构特性研究.pdfVIP

陈 祝 等：PZT／ZnO薄膜制备及其结构特性研究 PZT／ZnO薄膜制备及其结构特性研究 陈 祝 ，聂 海 ，杨成韬 ，杨邦朝。 (1．成都信息工程学院通信工程学院，四川 成都 610225； 2．电子科技大学 微 电子与固体电子学院，四川 成都 610054) 摘 要 ： 利用 固相反 应制备 的 ZnO～Li2．z 陶瓷靶 和 报道。考虑到 ZnO薄膜 的结晶温度低 ，且容易生成 c RF射频磁控溅射技术在 Si(100)基 片上制备 了高度 c 轴 (002)高度择优取向的薄膜 ，许多研究都表明，具有 轴择优取 向的ZnO薄膜，xRD和 电性能分析表 明掺 一 定织构的过渡层能够促进其上沉积 PZT薄膜结构 杂 Li离子改善 了Zno靶材 的结构和性 能，同时研 究 和性能的提高。另外溅射靶的质量也极大程度地影响 了不同RF溅射温度对 ZnO薄膜结构与取 向的影响； 所制备薄膜 的结构与性能，为此 ，探索 了ZnO掺杂 然后采用sol—gel前驱单体薄膜制备方法，以ZnO为过 Lic0。陶瓷靶及在不 同温度条件下 RF溅射 ZnO薄 渡层淀积 PZT薄膜 ，探讨高度 c轴 (002)择优取 向 膜工艺 ，以制得结构致密 、均匀和高度c轴择优取向的 ZnO薄膜对PZT薄膜结构与性能的影响，实验发现在 ZnO薄膜，并 以此膜为过渡层沉积 PZT薄膜，初步探 PZT／ZnO异质结构中，致密、均匀和高度 c轴择优取 讨其对 PZT薄膜结构与性能的影响。 向的ZnO可作为晶核，促进 PZT钙钛矿结构转化、晶 目前制备 ZnO薄膜 的方法有很多种，但最常用、 粒(110)择优取向生长，相应降低PZT薄膜的退火温 简便、经济的方法是射频磁控溅射法，其制备薄膜致密 度 。 度高、附着性好，但存在薄膜表面易损伤(反溅射)和不 关键词： 氧化锌薄膜 ；射频磁控溅射 ；择优取向；PZT 可控制的局域膜生长(其薄膜结构和性质不同)[1。川。 薄膜 为了避免换靶和溅射腔清洁，PZT薄膜制备采用前驱 中图分类号： N304；0484 文献标识码 ：A 单体溶胶一凝胶法 (sol-ge1)，此方法具有工艺设备简单 文章编号 ：1001-9731(2009)12—2087—05 易操作 ，组分可精确控制 ，薄膜均匀性好 ，成膜温度低 等优点，特别适合复杂组分薄膜的生长[2。．z引。 1 引 言 2 实 验 由铁电薄膜和微 电子技术相结合而发展起来的集 成铁电学已成为当前国际新材料研究十分活跃的领 实验首先用 ZnO(分析纯 ，99．9％)掺杂 2．2 (摩 域，薄膜异质结构是集成铁电、压电器件 的核心，是提 尔分数)Li(Li2CO。分析纯，99．9 )[2，采用传统固 高集成器件性能及开发新器件的关键[1叫]。钙钛矿结 相反应工艺制备 ZnO-Li。．。％陶瓷靶材，按 比例混合原 构的锆钛酸铅 (PbZrTi。一O。，PZT)薄膜具有优越 的 料，加去离子水、锆球磨、湿料烘干及研磨、750℃预烧 ， 铁电、介电、压电、热释电、电光、声光效应 以及能够与 二次球磨及研磨，10MPa压力成型，最后在 1150℃ 半导体技术兼容等特点；而 ZnO是一种具有压电和光 A12O。中埋烧制得 ZnO-Li2．2 陶瓷靶。然后采用 日 电特性的半导体材料，其六角形纤锌矿结构适合于高 本ULVAC公司生产的MBO2—93O3／93O4射频磁控薄 质量的定 向外延薄膜的生长。目前对 ZnO薄膜的研 膜溅射系统在 Si(1OO)基片上制备 ZnO薄膜 。溅射前 究主要集 中在