反应磁控溅射法制备nc-TiNa-Si3N4薄膜的Youngs模量和内.pdfVIP

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第 39卷 第 11期 金 属 学 玫 V0l1.39 NO.II 2003年 11月 1193— 1196页 ACTA METALLURGICA SINICA Nov.2003 PP.1193-1196 反应磁控溅射法制备nc_,——TiN/a-SiaN4薄膜的 Young’S模量和内耗 李朝升 王先平 方前锋 (中国科学院固体物理研究所材料物理重点实验室,合肥230031) S.Veprek (InstituteforChemistryofInorganicMaterials,TechnicalUniversityMunich,D-85747,Munich,Germany) 李世直 (青岛科技大学材料与环境科学学院,青岛 266042) 摘 要 利用振簧技术测量了不同退火状态下的nc-TiN/a-SisN4超硬薄膜的Young’S模■和内耗随温度的变化关系.在 28O—.300℃附近观察到一个弛豫内耗峰.随着退火温度的升高,该内耗峰逐渐减弱,而 Young’S模量变化不大. 750℃退火 后,该内耗峰消失,而模■却从未退火时的 430GPa激增至 530GPa.初步认为该内耗峰来源于非稳定界面的弛豫过程. 关键词 纳米TiN/非晶SiaN4薄膜,内耗,Young’S模■,非稳定界面 中圈法分类号 TGII3.22,TB383 文献标识码 A 文章编号 0412—1961(20o3)11—1193—04 INTERNALFRICTIoN AND YoUNG ’SM oDULUSoFTHE nc-TiN/a-SiaN4FILMsPREPAREDBYREAcTIVE M AGNETRoN SPUTTERING M ETHoD LIZhaosheng,WANGXianping,FANGQianfeng KeyLaboratoryofMaterialsPhysics,InstituteofSolidStatePhysics,TheChineseAcademyofSciences,Hefei230031 S.Veprek InstituteforChemistry ofInorganicM aterials,TechnicalUniversityM unich,D--85747,M unich,Germ any IShizhi InstituteofMaterialsnadEnvironmentSciences,QingdaoUniversityofSciencenadTcehnology,Qingdao266042 Correspondent:FANGQianfeng,professor, f(o551)5591459.E-mail:qffang@issp.ac.cn SupportedbyNationalNaturalScienceFoundationo/China(Nolo24o86)andVolkswagenStiflung (No.I,l92) Manu8criptrecei’ved2003-07_69 ABSTRACT ThevibratingreedtechniqueiSusedtoevaluatetheYoung’Smodulusandinternal frictionofnc—TiN/a-SisN4superhardfilms.ArelaxationpeakiSobservedaround280℃ inthe receivedfilm.W ithincreasingthenanealingtemperature.thispeka weka ensna dtheYoung’Smodulu8 atroom temperaturechna gesslightly. Afterannealingat750 ℃ 。 thispeka disapperaswhilethe modulusincreasesrfo

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