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光伏组件输出功率光致衰减问题的讨论
张光春 陈如龙 孙世龙 李剑 蒋仙 温建军 高瑞 施正荣
无锡尚德太阳能电力有限公司
报告内容提要
引言 (一)P型(掺硼)晶体硅太阳电池初始光致衰减机理 掺硼) (二)P型(掺硼)晶体硅片少子寿命及太阳电池光致衰减试验 掺硼)晶体硅片少子寿命及太阳电池光致衰减试验 (三)光伏组件的初始光致衰减试验 (四)光伏组件输出功率初始衰减问题的解决方案
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引言
光伏组件输出功率的衰减可分为两个阶段: 光伏组件输出功率的衰减可分为两个阶段: 第一个阶段,我们可以把它称作初始的光致衰减, 第一个阶段 即光伏组件的输出功率在刚开始使用的最初几天 内发生较大幅度的下降,但随后趋于稳定。导致 这一现象发生的主要原因是P型(掺硼)晶体硅片 中的硼氧复合体降低了少子寿命。 第二个阶段,我们可以把它称作组件的老化衰减, 第二个阶段 即在长期使用中出现的极缓慢的功率下降,产生 的主要原因与电池缓慢衰减有关,也与封装材料 的性能退化有关。
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引言
为什么光致衰减现象又被关注:
P型(掺硼)的太阳电池的光致衰减现象是在七十年 代发现的,为什么近期光伏产业界和研究机构又 对此产生了较大的关注呢?其主要原因是由于光 致衰减导致的一些光伏组件的功率下降幅度远 远超出了客户所能接受的范围,这就使组件制造 商面临着潜在的赔偿风险。
4
引言
导致光伏组件功率出现早期下降的主要原因有:
(一)硅片质量差,导致电池出现较大幅度的初始光致
5
衰减; (二)组件制造工艺不合理,出现诸如电池片隐裂、 EVA交联度不好、脱层、焊接不良等质量问题. (三)些组件制造商功率测试不准确或有意在输出功 率上虚报。
一. P型(掺硼)晶体硅太阳电池初始光致衰减机理
30多年前,H. Fischer and W. Pschunder 等人首次观察到P型(掺硼)晶 体硅太阳电池的初始光致衰减现象.
6
一. P型(掺硼)晶体硅太阳电池初始光致衰减机理
大家基本一致的看法是: 大家基本一致的看法是:
光照或电流注入导致硅片中的硼和氧形成硼氧复合体,从而使少子寿命降 低,引起电池转换效率下降,但经过退火处理,少子寿命又可被恢复,其 可能的反应为:
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光照或电流注入 Bs+ Bs+2Oi 少子寿命高) (少子寿命高) 退火处理 BsO2i 少子寿命低) (少子寿命低)
一. P型(掺硼)晶体硅太阳电池初始光致衰减机理
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据文献中报道: 据文献中报道 (一)含有硼和氧的硅片经过光照后出现不同程度的 衰减(如图2、图3、图4所示)。硅片中的硼、氧 含量越大,在光照或电流注入条件下产生的硼氧 复合体越多,少子寿命降低的幅度就越大。 (二)在低氧、掺镓、掺磷的硅片中少子寿命随光照 时间的衰减幅度极小。
一. P型(掺硼)晶体硅太阳电池初始光致衰减机理
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图2 低氧掺硼、有氧掺磷、有氧掺硼的Fz硅片 和有氧掺硼Cz硅片少子寿命衰减随光照时间的关系(2)
一. P型(掺硼)晶体硅太阳电池初始光致衰减机理
10
图3 掺硼、掺镓、掺磷的Cz硅片和硼掺杂的MCZ硅光照前后少数载流子寿命的变化(3)
一. P型(掺硼)晶体硅太阳电池初始光致衰减机理
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图4 不同硼掺杂浓度硅片的少子寿命随时间的变化关系(4)
掺硼)晶体硅片少子寿命及太阳电池光致衰减试验 二. P型(掺硼)晶体硅片少子寿命及太阳电池光致衰减试验
(一)P型(掺硼)单/多晶硅片少子寿命的光致衰减试验 1.原始硅片的光致衰减试验 硅片不做任何处理,测试光照前和光照后的少子寿命。
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试验结论: 从图5可以看出,单/多晶 裸硅片若不经过清洗钝化, 其少子寿命几乎随着光照 时间变化不大,这是因为 硅片表面复合中心占主导 地位,掩盖了光照对体少 子寿命的影响,因此对不 经过清洗、钝化的裸硅片, 无法确定少子寿命与光照 时间的对应关系,也就无 法判断硅片的质量.
单晶裸硅片的少子寿命随时间的衰减图
1.2
多晶裸硅片的少子寿命随时间的衰减图
1.2
1.0
1.0
0.8
0.8 少子寿命 us
少子寿命 us
0.6
0.6
M1
0.4
M2
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