Au／a—Si：H界面X射线光电子能谱和俄歇电子能谱研究.pdfVIP

维普资讯 第40卷 第 2期 物 理 学 报 Vot．40．No．2 1991年 2月 ACTA PHYSICA SINICA F~b．，l9，1 Au／a_Si：H 界面 x 射线光电子 能谱和俄歇电子能谱研究 钟战天 王大文)廖显伯 范 越 李承芳 牟善明 中国科学院半导体研究所，北京，100083；中国科学院表面物理实验室，北京，100080 1990年 1月9日收到 采用X射线光电子能谱 (XPS)和俄歇电子能谱 (AES) 对 Au／a—SI：H 界面进行了研 究．实验表明，Au／a—SitH 界面最初形成过程是以金属团生长形式出现，当 ^u淀积量超过 一 定值后，Au和 Si开始互扩散并进行化学反应，结果形成 Au—si互溶区．利用光发射方 法证实，热处理 Aa／a—Si：H 界面导致淀积膜中 Si岛形成 ． PACC：6855；7340N；6140；7960