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ZnO/SiC 界面形成及其电子结构的光电子能谱研究* 徐彭寿, 邹崇文, 孙柏, 武煜宇, 潘海斌, 徐法强 （中国科学技术大学国家同步辐射实验室，合肥，230029） E-mail: psxu@ 摘要：利用同步辐射光电子能谱（SRPES）和X 射线光电子能谱(XPS)技术，研究了金属Zn 在6H-SiC 表面的吸附和热氧化以及ZnO/SiC 的界面形成与电子结构。研究结果表明，在SiC 表面沉积金属Zn 的初始阶段，Zn 可以夺取SiC 衬底表面残留的氧并与之成键。随着Zn 覆 盖度的增加，表面具有金属特性。在2.0x10-4Pa 的氧气氛中180 oC 温度退火下，覆盖的Zn 会被部分氧化形成ZnO ，还有部分Zn 因其在真空中的低蒸发温度而逸出表面。在同样的氧 气氛中600 oC 温度退火后，覆盖的金属Zn 全部被氧化而生成ZnO 。在氧气氛中退火时，衬 底也会轻度氧化，从而导致在ZnO/SiC 界面处存在一层很薄的Si 的氧化层。 关键词：ZnO ，SiC，界面，电子结构，光电子能谱 1. 引言 ZnO 是一种宽带隙化合物半导体。由于它的激子结合能较高，可产生室温下的近紫外 激子发光，其发射波长比GaN 兰光的波长更短，因此可以进一步提高光通讯的带宽和光记录 的密度，在光电子学领域有重要的应用价值。此外，由于ZnO 具有很高的热稳定性和化学稳 定性，使它成为潜在的理想的短波长光电子材料而引起人们极大的关注[1-4] 。有多种技术可 用来制备ZnO 薄膜[5] ，如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)或激光脉冲 沉积(PLD)等。近年来，一种简便而有效的ZnO 的制备方法，即利用金属Zn 的热氧化制备 ZnO 薄膜获得了成功[6] 。尽管可以利用该方法制备结晶和发光性能都很好的ZnO 薄膜，但 对于Zn 在衬底表面的吸附、初始氧化机理以及氧化锌和衬底的界面形成过程都未进行深入 研究。另一方面，同属宽带隙半导体的SiC，由于具有高热导率、高击穿强度、高饱和电子 漂移速率及高键合强度等优点，特别适合于制造高温、高频、高速、高功率、抗辐射及抗腐 蚀的微电子器件，因此引起人们的极大兴趣[7,8] 。而由于SiC 与GaN 和ZnO 的晶格都比较匹 配，因此SiC 也是生长GaN[9]和ZnO[10]薄膜的理想的衬底或缓冲层材料。在本文中，我们报 道利用6H-SiC 单晶作为衬底，采用金属Zn 热氧化的方法制备ZnO 薄膜，利用原位的光电 子能谱技术研究金属Zn 在SiC 表面的吸附，其热氧化过程和机理以及ZnO 和SiC 的异质界 *本课题得到高等学校博士学科点专项科研基金的资助(批准号：20030358054) 1 面的形成和结构。 2. 实验 实验是在中国科技大学国家同步辐射实验室（NSRL ）表面物理实验站进行的。该实验 站主要由一台英国VG 公司进口的角分辨光电子能谱系统ARUPS10 组成，可进行X 射线光 电子能谱(XPS) 、俄歇电子谱(AES) 、低能电子衍射(LEED)和同步辐射光电子能谱(SRPES) 实验。分析室的本底真空好于2.0x10-8Pa 。实验站还包括一台与能谱仪直接连接的超高真空 样品制备室，可原位制备样品。表面物理光束线可提供 10eV-250eV 的光子能量，其分辨本 领（E/∆E ）可达到1000。有关实验站的详细配置可参考文献[11]。 由美国Cree 公司进口的6H-SiC 单晶，经丙酮、乙醇清洗后，放在HF 溶液中去除SiC 表面Si 的氧化层，经N2 气吹干后，很快放入超高真空样品室，并在550°C 的温度下去气5 小时。经以上方法处理后的样品可以看到清晰的 LEED 斑点。样品传递到超高真空样品制 备室后，利用热蒸发炉，将高纯Zn （99.99% ）在200°C 温度下蒸发到SiC 表面。在膜厚测 试仪监控下，蒸发速率始终保持在0.006nm/s 。蒸发的Zn 薄膜的总厚度约2.