Eu 掺杂YBa 2-x Eu x Cu 3 O 7-d 超导体的X 射线衍射研究-常熟理工学院.docVIP

Eu掺杂YBa2-xEuxCu3O7-( 超导体的X射线衍射研究 钱 斌1,2 吴小山2 （1常熟理工学院 江苏省新型功能材料重点建设实验室，江苏 常熟 215500； 2南京大学 固体微结构物理国家重点实验室，江苏 南京 210093） 摘要：Eu掺杂（取代）导致Y系YBa2Cu3O7-δ (YBCO)超导材料临界电流密度增强，晶格应变被认为是主要原因。本文研究了Eu掺杂YBa2-xEuxCu3O7-δ超导体的的结构和应变，并从容忍因子讨论了钙钛矿单元的结构稳定性和晶格畸变，以及结构与电输运的相互关系；当x0.15时，样品中没有杂相。我们发现Eu3+/Eu2+离子优先替代Ba位的Ba，对电输运几乎没有影响。研究还表明氧含量对超导转变温度Tc几乎没有影响。我们还进一步研究了所有正常态样品的自旋能隙打开温度与超导输运及结构变化之间关系。 关键词： Eu掺杂；YBa2Cu3O7-δ (YBCO)超导体；X-射线衍射；结构精修 中图分类号：O511 文献标识码： 文章编号： 1 背景介绍 YBa2Cu3O7-( (YBCO, Y-123)具有的独特超导特性，如小的各向异性，在77 K低温和高磁场下大的临界电流密度Jc等等，吸引了科学家和工程学家的注意。研究表明，三价稀土元素(RE)替代YBCO中的Y可以进一步提高体系的临界超导电流密度Jc [2].实验结果显示在同样掺杂量(20%)的稀土掺杂的Y-123样品中，(Y,Eu)-123 陶瓷样品具有最大的临界超导电流密度Jc[3]. 理论上计算表明[3-4]，Jc的增加可能来源于 Y-123和RE-123的晶格失配而产生的应力场钉扎. 进一步的模拟计算表明在不同的稀土元素中Eu掺杂对磁力线产生最强的钉扎力。由于Eu有独特的电子结构，4f75d06s2，所以它成为(Y,RE)-123族实现大电流密度的理想替位元素，但对于Eu取代Y后，晶格变化的细节还有许多值得研究的地方，如微结构的变化及应变效应等，为进一步弄清体系的超导特性及解释临界超导电流密度的提升提供数据。 为了描述高温超导电性，Anderson[5]提出了共振价健（RVB）模型，他认为载流子的自旋自由度和电荷自由度可以分开。 按照这种假设，Nagaosa 和 Lee [6]获得不同空穴、掺杂的高温超导体的平均场相图。 这些结果显示：在高温超导态和奇异金属态之间，存在一个中间状，其起始温度为Ts，当温度低于该温度，奇异金属中的导电载流子开始形成库柏对，该温度称之为自旋能隙打开温度；这时电阻-温度的曲线呈线性关系。自旋能隙打开温度Ts 随着空穴浓度的减少而增加，而Tc的情况与之相反。 吴等对在Ba位稀土元素的掺杂量对结构、超导电性、自旋隙特性进行了深入的研究[7-11]。虽然在S-N模型中考虑S层和N层之间的跳跃相互作用后的计算结果显示Tc有所抑制，但实验发现当掺杂量低于10%时Tc有所增加[12-13]。Francois 等[14]研究了Pr掺杂和氧空缺对YBa2Cu3O7-δ薄膜的影响，并计算得到：自旋隙行为完全由载流子浓度决定，磁性掺杂除了会损耗CuO2面内可移动的空穴外，对超导电性无任何影响。然而最近Liu 和 Guan [15]认为由混杂作用引起的磁性相互作用将对R1-xPrxBa2Cu3O7-δ的自旋温度产生影响。通过比较用不同的稀土元素替代YBa2Cu3O7-δ 系列中的Y的实验， Vezzoli等[16]系统研究了不同磁性离子对Ts （R-T 曲线偏离线性部分，对应于我们实验中的自旋能隙温度Ts）、Tc, 和 Tc0 (零电阻温度)的影响，发现Tc和Tc0 并不随着掺杂量而有大的涨落，但在Gd–Eu 范围内Tc0随掺杂量的变化出现一个大的峰值，这可能意味着Gd 和 Eu 的替代引起的有效自旋磁矩将对超导产生强有力的提升。 到目前为止，Gd掺杂对YBCO的结构和输运性质影响先前已经研究了[11,16-19]。 然而据我们所知，Eu掺杂对正常态性质影响还没有得到详细的研究 。本文报道了我们最近对Eu掺杂YBCO超导体的微结构变化和电输运的研究结果。我们制备了一系列Eu含量从x = 0 到x = 0.50的YBa2-xEuxCu3O7-δ的多晶样品，来研究掺杂对结构和输运特性的影响。微结构参数是通过对X射线粉末数据的全谱拟合得到，结果表明，随着Eu含量的变化，Eu可以替代了单胞中的Cu、Y或者Ba；从而解释了测量得到的电输运曲线。 2 实验过程 多晶样品可以通过经典的固相反应法来制备。首先，干燥高纯度的粉末样品Y2O3, BaCO3, CuO和Eu2O3 按YBa2-xEuxCu3O7-δ的名义化学分子式混合，其中x分别为x = 0, 0.02, 0.03, 0.05, 0.08, 0.1, 0