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趋势与展望
Trends and Outlook
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DOI :10. 3969 /j. issn. 1003 － 353x. 20 12. 0 1. 00 1
、 ( )
固态微波毫米波 太赫兹器件与电路的新进展 续
赵正平
( ， 100846)
中国电子科技集团公司 北京
中图分类号:TN385 文献标识码:A 文章编号:1003 － 353X (20 12)0 1 － 000 1 － 08
New Developments of Solid State Microwave ，Millimeter-wave ，
THz Devices and Circuits (Continued)
Zhao Zhengping
(China Electronics Technology Group Corp oration ，Beij ing 100846 ，China)
2007 S ［46］。
年报到了 波段千瓦级脉冲功率放大器
4 GaN HEMT
GaN HEMT n GaN GaN
采用 型掺杂的薄 帽层和 钝
化膜以控制表面电荷， ，
20 90 GaN HEMT 。GaN 该器件无电流崩塌 开态和
世纪 年代中期 诞生 是
， 、 、 关态击穿电压分别大于100 V 和200 V 。总栅宽
宽禁带材料 具有电子饱和速度高 击穿场强高
SiC 、 ， AlGaN / 4 1. 2 mm 的器件在2. 14 GHz ，输出功率42 dBm ，
衬底导热性好 抗辐照等特点 且在
GaN ， 16. 5 dB ， 34 % 。 4
界面上存在自极化和压电等新的物理效应 其 增益 漏效率 放大器由 个总栅宽
二维电子气密度高达2 × 10 13 cm － 2 ，因此 GaN 36 mm ，
的器件芯片进行功率合成 两个芯片先内匹
HEMT 。 ， ， Cu
在微波毫米波具有高功率密度的能力 进入 配 然后外合成 封装在 基板上的陶瓷管壳
21 ， SiC GaN
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