碳纳米管多沟道场效应晶体管与研究_百替生物.pdfVIP

附件2 附件2 附附件件22 论文中英文摘要 作者姓名：陈长鑫 论文题目：碳纳米管多沟道场效应晶体管研究 1978 11 2004 03 作者简介：陈长鑫，男， 年 月出生， 年 月师从于上海交 通大学“长江学者”张亚非教授，于2007年12月获博士学位。 中 文 摘 要 随着传统的硅技术发展接近极限，寻找替代硅的材料已迫在眉睫。单壁碳纳米管 （SWCNT）因其独特的一维纳米结构和优异的物理、化学、机械等特性，被认为是构筑 下一代集成电路的理想候选材料。它最重要的应用之一是用来制作碳纳米管场效应晶体管 CNTFET SWCNT FET （ ）。 在制作 上具有诸多的优越性：载流子可实现弹道传输；无悬键 K 的表面使高 栅介质层的使用不会引起载流子迁移率的退化；对称的导带和价带有利于高 性能互补电路的实现；直接带隙结构使得在同一材料平台上集成电子和光电子器件成为可 能。相比传统