梯度掺杂半导体电场强度的数值计算.pdfVIP

第 33卷 ／第2期 ／ 河北师范大学学报 ／自然科学版 ／ VoI．33NO．2 2009年 3月 J0URNAL0FHEBElN0RMALUNIVERSITY／NaluraIScienceEdition／ Mar．20O9 梯度掺杂半导体电场强度的数值计算 王爱坤， 任清华， 薛建华， 李宏杰， 吕村慧 (河北科技大学 理学院．河北 石家庄 050018) 摘 要 ：采用累积误差小的Runge—Kutta—Verner方法 ，热平衡条件下 n区厚度为80，100，200 n1，分别在指数掺 杂和线性掺杂方案下数值求解了掺杂半导体中的电场强度分布．研究发现，在掺杂总量保持不变时，指数掺杂优于 线性掺杂． 关键词 ：光伏电池 ；梯度掺杂 ；半导体 ；Runge．Kutta—Verner方法 中图分类号 ：O474 文献标识码 ：A 文章编号 ：1000．5854(2009)02．0189．04 在光伏t电池材料的确定以及采取防损失措施 (如减反射损失技术 、减少光投射损失等)后 ，理论和实验都 可以证明，在整个电池薄膜 中适当的梯度掺杂能够有效地提高光伏电池的开路 电压、短路 电流及光谱响应， 从而可以提高电池的效率 1【 因为梯度掺杂后 ，不仅在耗尽层 内存在电场，膜中的其他 区域也存在电场 ，所以电池的开路 电压不仅由 耗尽层区的势垒提供，而且耗尽层外的电场对开路电压也有贡献 ．同时，耗尽层外电场可以使该区域的光生 载流子有效分离，减少再复合率，从而提高光电流[6-9]．不同的掺杂方案，其 电场分布不同，对 电池转换效率 的影响也不同．因此讨论和计算梯度掺杂电场的分布十分必要；但是 由于在梯度掺杂情况下，关于电场强度 的方程是非线性微分方程组，且满足电中性条件，很难求出精确的解析解． 本文中，笔者以硅材料为例在热平衡条件下数值求解梯度掺杂半导体的电场强度 ，并对于不同厚度的半 导体薄膜及不同掺杂方案进行了计算和讨论，为进一步优化光伏电池的结构提供理论上的指导． 1 梯度掺杂半导体 电场强度的计算 一 1．1 线性规律掺杂电场强度的计算 设在半导体硅 中非均匀掺入五价磷施主元素，形成梯度n型．掺杂后杂质的电离能较本征半导体的电离 能小很多，相对于本征半导体有较多的电子从束缚态激发到导带．在室温下，对于n型单晶硅在掺杂浓度高 于3×100in 属于重掺杂，低于3×103nl 可认为杂质全部被电离．对于光伏电池而言，重掺杂会降低功能 层的电阻率，减小扩散长度，缩短少子寿命 ，从而会降低光伏电池的效率；而掺杂浓度过小则会使耗尽层变 窄、减小开路电压，从而降低其效率． 综合考虑以上2点，将 n型单晶硅的最大掺杂浓度限制在2×10 ITI～．设在厚度为200 m单晶硅薄膜 中，施主浓度随深度 线性递增 ，函数形式为 Nd()=2×10 (1+9×10z)，0≤ ≤200×10—， (1) 其中 以m为单位，J、，d的单位为(m )．这在工艺上是容易实现的．由于杂质浓度梯度的存在，必然引起电 子沿 z轴反方向的扩散 ，产生扩散 电流．杂质离子固化在半导体中不能移动，这使半导体内部不再是处处保 持电中性，因而体内必然存在电场．在该电场作用下又产生漂移电流．当扩散 电流和漂移电流相等时达到平 衡态．在(1)给定掺杂浓度下，电子处于非简并态．在达到平衡态时，电子的浓度分布满足 1【0J N~exp ( )， (2) 其 中：71()是电子浓度 ；kB是玻耳兹曼常数；7、是绝对温度 ；q是载流子所带电量 ；V()是电势；E 和 Ef 收稿 日期 ：2008—09一l1 基金项 目：河北省科技攻关汁划项t-I(052135165)；河北科技大学青年基金(2006JC一17) 作者简介 ：王爱坤(1962一)．女，河北保定人 ．博士，研究方向为凝聚态物理． · 190 · 分别是半导体的导带底能级和费米能级；N 由电子的有效质量和温度决定． 此外 ，电场强度还满足泊松