电工学半导体二极管及其应用电路.pptVIP

7.1 半导体的基本知识? 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 半导体的导电性能具有两个显著的特点： （1） 掺杂后，半导体的导电能力将成倍地增加。 （2） 半导体受温度的影响比较大。 导体：容易导电的物质。各种金属 绝缘体：几乎不导电的物质。橡胶、陶瓷、塑料等 半导体：导电性介于导体和绝缘体之间。 本征半导体:纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体 半导体二极管及其应用电路 PN结的单向导电性 如果外加电压使PN结中：P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏； P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏。 7.1.1 半导体的导电特性 动画 动画 PN结加正向电压时（P+，N-），呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流(相当于开关闭合，PN结导通)。 PN结加反向电压（P-，N+）时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。(相当于开关打开，PN结截止)。 结论：PN结具有单向导电性。 可以将PN结看成一个开关： PN结的单向导电性 7.1.1 半导体的导电特性 半导体二极管的参数包括最大整流电流IOM、反向击穿电压UBR、反向工作峰值电压URWM、反向电流IRM等。 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压UBR。 为安全计，在实际 工作时，最大反向工作电压 URWM一般只按反向击穿电压 UBR的一半计算。 7.1.4 二极管的主要参数 (2) 反向击穿电压UBR——— 反向工作峰值电压UR WM——— (1) 最大整流电流 IOM—— 稳压管与普通二极管的差别： . 二极管工作在正向特性区，而稳压管工 作在反向特性区。 .稳压管反向击穿电压 UBR小，10V左右，二极管 UBR大，≥50V。 7.2.4 稳压管 (Zener diode) 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。 电阻的作用一是起限流作用，以保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。 注意： 必须合理选择R，使 Izmin ＜ I ＜Izmax 。 7.2 直流稳压电源 交流电? 变压? 整流? 滤波? 稳压? 直流电 图7-15 直流稳压电源 uD O 7.2.1 整流电路 2. 工作原理 u 正半周，VaVb， 二极管D导通； 3. 工作波形 u 负半周，Va Vb， 二极管D 截止 。 1. 电路结构 – + + – a Tr D uo u b RL io u ?t O uo O 一、单相半波整流电路 参数计算 (1) 整流电压平均值 Uo (2) 整流电流平均值 Io (3) 流过每管电流平均值 ID (4) 每管承受的最高反向电压 UDRM (5) 变压器副边电流有效值 I 整流二极管的选择 平均电流 ID 与最高反向电压 UDRM 是选择整流二极管的主要依据。 选管时应满足： IOM?ID ， URWM ? UDRM 二、单相桥式整流电路 图 7-18 单相桥式整流电路 二、单相桥式整流电路 2. 工作原理 u 正半周，VaVb，二极管 D1、 D3 导通， D2、 D4 截止 。 3. 工作波形 uD2uD4 1. 电路结构 ? － uo uD ?t ?t RL u io uo 1 2 3 4 a b + – + – ? － u u负半周，VbVa，二极管 D2、 D4 导通， D1、 D3 截止 。 桥式整流电路波形图 直流电压UO和直流电流IO的计算： 7.2.2 滤波电路 1. 电容滤波 2. 工作原理 u uC时，二极管导通，电源在给负载RL供电的同时也给电容充电， uC 增加，uo= uC = u 。 u uC时，二极管截止，电容通过负载RL 放电，uC按指数规律下降， uo= uC 。 + C ic i – + + – a D uo u b RL io = uC 3. 工作波形 二极管承受的最高反向电压为 。 uo u ?t O ?t O 4. 电容滤波电路的特点 (T — 电源电压的周期) (1) 输出电压的脉动程度与平均值Uo与放电时间 常数RLC有关。 RLC 越大 ? 电容器放电越慢 ? 输出电压的平均值Uo 越大，波形越平滑。 近似估算取： Uo = 1. 2 U