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中国科学 E 辑 : 技术科学 2009 年 第 39 卷 第 9 期 : 1495 ~ 1505
SCIENCE IN CHINA PRESS
有机场效应晶体管及其集成电路研究进展
①② ① ①* ① ① ① ① ②
王宏 , 姬濯宇 , 刘明 , 商立伟 , 刘舸 , 刘兴华 , 柳江 , 彭应全
① 中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室, 北京 100029;
② 兰州大学物理科学与技术学院, 兰州 730000
* E-mail: liuming@
收稿日期: 2008-11-21; 接受日期: 2009-03-19
国家重点基础研究发展计划(“973”计划)(批准号: 2006CB806204)和国家自然科学基金(批准号:
项目资助
摘要 有机场效应晶体管在低价、大面积、柔性电路中具有非常光明的应用前景, 因而受 关键词
到科学家们及工业界的广泛关注. 近几年来, 有机场效应晶体管在材料、器件性能及电路 有机场效应晶体管
集成方面都取得了长足的进展. 本文从有机场效应晶体管的材料、器件构筑、器件的工作 集成电路
原理、电路仿真与集成方面, 简单的综述了有机场效应晶体管及其集成电路的最新研究进展. 电路仿真
1 引言 方法, 制备了可以存储 64 位数据的射频标签, 虽然
该元件的储存和处理容量虽不能与市面上的硅晶片
随着有机电子学/分子电子学的快速发展, 基于
竞争, 却展示了有机器件集成电路广泛的应用前景.
有机半导体的有机场效应晶体管的研究成为当前有
本文从有机场效应晶体管的材料、器件构筑、电路仿
机电子学/ 分子电子学研究的一个前沿热点. 与无机
材料相比, 有机材料在低价、大面积、柔性电路[1~4] 中 真与集成方面, 简单的综述了有机场效应晶体管及
其集成电路的最新研究进展.
具有很多固有的优势. 例如, 其成膜工艺简单, 很容
易用旋涂和蘸涂技术进行大面积制备, 或者沉积到 2 有机场效应晶体管的器件结构及其器件
柔性衬底上, 制备各种柔性器件和电路. 此外, 对于 物理
有机半导体材料, 人们可以通过改变分子结构很容
2.1 有机场效应晶体管的结构
易地实现对器件性能的调控, 从而可以根据器件的
有机场效应晶体管沿用了类似于无机半导体有
应用要求来设计有机半导体材料. 基于上述各方面
的优势, 自Tsumura等人[5]在 1986 年首次报道有机场 源材料的绝缘栅场效应结构, 但由于有机材料的特
效应晶体管(OFETs) 以来, 有机场效应晶体管的研究 性, 又与传统的无机材料场效应晶体管有所不同. 根
在短短的十几年间获得了快速的发展. 目前, 已有多 据源、漏电极与有机半导体位置的不同, 分为底接触
种基于有机半导体材料的器件迁移率超过在液晶显 和顶接触 2 种结构( 图 1(a)和(b)). 在顶接触结构中( 图
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