41~43场效应管的基本问题（自学）.pptVIP

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2017-09-01 发布于重庆
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41~43场效应管的基本问题（自学）.ppt

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* 4.1~4.3 场效应管的基本问题（自学） 4.4 场效应管放大电路 4.5 各种放大器件电路性能比较场效应管根据结构不同分为哪两大类？何谓耗尽型？何谓增强型？VP夹断电压和VT开启电压分别是何种类型场效应管的重要参数之一？场效应管有哪三个电极？和BJT管如何对应？场效应管的两个电压VGS和VDS分别起何主要作用？场效应管输出特性曲线分为哪几个区？作放大时工作在哪个区？为什么？场效应管是双极型？单极型？电压控制器件还是电流控制器件？它的输入电阻如何？根据场效应管特点作放大时，应如何合理设置Q点？针对以下问题，自学JFET和MOSFET，了解MESFET： N沟道 P沟道增强型耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道（耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 FET分类：耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 4.4.1 FET的直流偏置电路及静态分析 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法 1. 自偏压电路 3. 静态工作点的确定 4.4.1 FET的直流偏置电路及静态分析 2. 分压式自偏压电路 1. 自给偏压共源放大电路 vGS vGS = - iDR 此电路只能用于耗尽型FET，亦称自偏压电路 2. 分压式自偏压电路此电路既适用于耗尽型FET又适用于增强型FET Q点： VGS 、 ID 、 VDS vGS = VDS = 已知VP ，由 VDD - iD (Rd + R ) - iDR 可解出Q点的VGS 、 ID 、 VDS 3. 静态工作点的确定 1. FET小信号模型 2. 动态指标分析 3. 三种基本放大电路的性能比较 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法 1. FET小信号模型（1）中低频模型（2）高频模型在高频时，极间电容不能忽略，需用高频模型分析 2. 动态指标分析（1）中低频小信号模型（共源电路，分析方法同BJT）其微变等效电路 2. 动态指标分析（2）中频电压增益（3）输入电阻（4）输出电阻忽略 rD 由输入输出回路得则通常则 * *