IV族元素纳米管的电子性质研究.pdfVIP

全国博士生学术论坛《物理学)中国科学院研究生院北京 20磅@6 DoctoralForumofChinainPhysics，G UCAS，Beijing IV族元素纳米管的电子性质研究 杨小宝1，倪军1 1．清华大学物理系，北京(100084) 文摘：自从碳纳米管被发现以来，其独特的电学性能引起大家的广泛关注。一般的单 壁碳纳米管可以看成是由石墨jf￡面卷曲形成，管的半径和卷曲方式对碳管的电导性质起 决定性作用。单壁碳纳米管既可以是金属，也可以是具有不同带隙的半导体(包括直接 和间接带隙)。IV族元素有相同的最外层电子排布，有很多相似的性质。Si和Ge是重 要的半导体材料，在电子元件等相关领域有着重要的应用，实验和理论对Si，Ge的纳 米线和纳米管的研究相当丰富。 关键词：纳米管；电子性质；紧束缚模型：第一原理计算 一般认为，Si和Ge的印3杂化比印2强很多，没有和石墨一样的平面六角结构，也 很难像碳管一样通过石墨卷曲形成单壁纳米管。有报导称单壁Si管和单壁碳管有类似 但是没有给出很好的物理解释。运用第一原理计算软件(vASP)，我们计算了两类可能 的单壁Si，Ge和SiGe纳米管的结合能和能带。以Si管为例，按照石墨平面六角结构 卷曲形成的硅纳米管，用h．SiNTs标记：按照Si的金刚石结构的(111)平面结构卷曲 和g-SiNTs的结合能都增大，但和Si的金刚石结构相差接近0．7eV，属于亚稳结构。 劓 ，裂譬： 谢；羚 缸～歹～一嚆{| 铰弑 。f玲：i≥ 。二：谰 Fig．1 Fig．2 投稿LJ期：2006．05．10 作者简介：杨小宅(1980)，男，汉族，广东 联系方式Entail：yangxiaoba099@mails．tsinghua．edu．cn _162． 全国博士生学术论坛(物理学)审圈科学院臻究生院北察 2◇囝6 DoctoralForumofChinainl’h，’sics，GUCAS。Beijing 型纳米管，在n取5～11时，g-SiNTs是半导体，带隙随半径增大而变小。Ge管电子性 质有类似的现象，如Fig．4所示。 ¨ 瞄 帖 ¨ ¨ 一e)△母o 他 ¨ Fig．3 Fig．4 g-SiNTs的低对称性。由于g．Si管是南两套三角格子套构起来的，内外两层对应的Si 原子的电子分布应该不同。 不失一般性的讨论，可以认为矩阵元H剧=占，H船=0。 det 1日一ESl_0， H一田=k万嚣，m“肛’≯八) 其中 (即万)《P止(r)1日lp出(，．一■)，J=1，2，3， exp(一ik，a／2／、f3)cos(kxa／2) 厂(七)=∑exp(ikr．)=exp(ik,a／,f3)+2 类似石墨平面能带的求解： W2 F 【占一2sw2(印万)】±√占2—4sew2(pp，r)+4(pprc)2 一—————可s2≯； 由于(印万)o，√占2—4S6W2(ppzc)+4(ppn)2W20， 因此E总是4i能简并的，对应的Si管都是半导体。 从中我们也可以看到，能隙的人小 E—E≈√占2—4ssw2(pp7r)+4(pplr)2W2 在w=0时达到极小，对应的是纳米管(n，m)的n．m是3的倍数的情况。 除了理论上的分歧。我们也