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第七届中茸蚺来科技西安拜讨舍论主羹
直流电沉积Eo/Zn!璃米线结构和磁性研究
李海涛。2,刘力虎。3,范胜华3,孙会员。3
(1河北师范夫学物Ⅱ科学与信息T程学院.河北6家庄05(m16;
2承锥民雇师范专科学技.河北承蕾067000:
3河北者磕学重点实验皇.日北石家庄0500160)
摘要:采用直漉电化学沉积方法,在多扎目擞氧化锚模扳纳米孔洞中制备出直径约6叶皿.长度曲20um
的金属co/zn蚋米挂有序阵列.通过扫描电子显蕾镜(s叫】透射电于显微镜(TEll).x射线衍射仪(x如)以及五
动样品磁营计(V叫)对摸扳厦所制鲁的蚺米线阵列进行T形筑、结构厦相关性能的表征和测试.结果表明所
制备的c。/2n蚋米线具有沿[00副方向择优生长特性.zn的复☆对纳米线阵列矫两力影响较大.
关键词+口楹氧化g摸板,纳米线屯沉积
近年米,一维磁性纳米线有序阵,0材料因其在高密度磁存储、传=粤器、微型电子仪器等
技术领域方面有潜在舶应用引起了人们的广泛若注。制备纳米线阵列的方法很多”“.最常用
的通常是摸扳法”。,在模板法中.人们已经用屯沉积的方法成功制备了Fe、co、N1等磁性
金属及其台金纳米材抖6…t这些磁性蚺米线县有高矫顽力、明显的各向异性等新奇的特性。
为此,本文采用直流电沉积方法在事先制蔷的多孔氧化锅模板中沉积制备TCo/Znl轴米线阵
列,井从实验和理论两方面对Co/Zn.‘自米线的结构磁化过程进行了详细分析。
1 实验方法
实验采用二次阳极氧化法制备了氧化铝(A^0)摸扳,整个氧化过程在恒温下(0℃.412.8
℃,10℃)进行。首先将纯度为99
999%高纯铝(厚度为028珊)裁剪成直径3cm的圆形基片,在
丙酮中用超声波清洗以土除油渍,再在;400C、氩气环境下退火2小时消除内部应力,否则制备
的模扳容易破碎.2后用HClO,和CILCItOH(体积比l
4)混合溶液为电解抛光液.采用直流电
源电解抛光3min.左右,以消除表面纹理。然后以铝为阳极,石墨为阴极.用0
3M草酸为电解
灌,25_40V电压下阳极氧化12小时。一次阳极氧化后形成的氧化铝膜用矾的磷酸和4%的铬酸
的混合液去除后,在相同的条件下对其进行一次阳极氧化.由此得到具有高度有序纳米孔洞
捧列的^^0模扳。
图1AAO耩锰sEM照片t顶视图,b剖面酗 圈2沉积oFzII纳米线图谱
a顶视般集图扣分离出的蚋米线
经二次氧化后得到的模扳如图l所示,其中图a为M0模板表面形貌.从图中可以看出.
每个孔洞外围都有相应的严格对称的孔洞,所有孔洞在整个所示区域内严格呈六方形紧密结
构捧布:图b为A^O模板剖面图,圉中显示模板厚度约为35
lIⅢ。随后除去底部未被氧化的铝
u
层·在押t%的磷酸中开孔,得到孔径为60叽,厚度约为35m两端打通的氧化铝模板。晟后
第七届中国纳米科技两安研讨会论文集
在氧化铝模板的背面溅射一层厚约300nm的Cu作为沉积纳米线时的电极。
电化学沉积采用DJS-292A型恒电位仪作为电源,电解液按摩尔比称量如F:0.2MCoCl:
6HR),0.002M
ZnCl:溶于去离子水中,而后加入409/LHzBOt作为缓冲剂,同时调节溶液pH
值为4.5。沉积过程采用三电位系统进行沉积,其中饱和甘汞电极作为参比电极,沉积电压
一1.1V。之后分别利用x射线衍射仪(XRD)及振动样品磁强计(VSM),对沉积得到的纳米线的形
貌、结构及磁特性进行了研究。
2 结果和讨论
实验中,我们分别利用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对样品的形貌进
行了表征。图2所示的是采用直流电沉积
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