InP基HEMT结构材料气态源分子束外延生长研究.pdfVIP

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2017-09-01 发布于安徽
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InP基HEMT结构材料气态源分子束外延生长研究.pdf

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MBE2013 口头报告 S5-3 InP基HEMT 结构材料气态源分子束外延生长研究周书星滕腾艾立鹍徐安怀齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室电话：0218214，Email: sxhou@mail.sim.ac.cn InP 基高电子迁移率晶体管——High Electron Mobility Transistor （HEMT）以其优越的电气性能，在高速、高频领域里具有重要应用前景[1-3]。因为δ 掺杂技术可以提高掺杂面密度，减少栅极到沟道距离和改善肖特基特性，因此对于促进 HEMT 的发展起到了重要作用。Hueschen 和 Chen 等人证实：δ 掺杂技术应用在 HEMT 中可以实现高漏电流，提高内本征跨导和栅极击穿电压，改善阈值电压等优势[4]。然而 Si-δ 掺杂层在层与层之间扩散 [5]，掺杂杂质并不一定 100%都会充当施主。如何提高掺杂效率，减少杂质散射影响，是δ 掺杂技术的难点。本工作所用生长系统为 V90 型 GSMBE 系统。衬底是 “epi-ready”掺 Fe-InP(100)衬底。固态源Ga、In 的纯度为 7N，Al 为 6N。Si 是 N 型掺杂剂。生长时的束流强度分别由各束源炉的温度控制。As 和 P 是 AsH 和 PH 在 1000℃裂解获得，分别作为 As 源和 P 源，砷烷和 2 2 3 3 磷烷的束流强度由束源炉的管道压力来控制。分别采用 X 射线衍射（XRD）、HALL 等方法来表征外延材料的晶体质量、表面形貌和电学特性。GSMBE 生长外延结构时，Si-δ 掺杂技术是本文的研究重点。通过分别调整 Si 的掺杂温度和掺杂时间，研究 si-delta 掺杂行为对二维电子气和迁移率的影响。确定 Si 的最佳掺杂温度在 1260-1260℃之间，掺杂时间在 6 或 7s。样品的 HEMT 外延结构如表 1。图 1 给出了所生长的 InGaAs/InP 外延材料的 XRD 摇摆曲 -4 线。由图中可以看出，InGaAs/InP 异质结构的晶格失配为 1.96×10 ,In 组分含量为 53.4%，表明其具有非常好的晶格匹配及材料质量。图 2 给出了 InAlAs/InGaAs /InP HEMT 外延材料的 XRD 摇摆曲线。 3000 Gs12-446 InGaAs/InP 6000 Gs12-500 InAlAs/InGaAs/InP HEMT In=53.4% Ga=46.6% S In=52.5% Al=47.5% S 2500 a/a=305ppm a/a=196ppm 5000 2000 L 4000 ) ) s