SixGe1-x合金材料热电转换性能的研究.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 SixGell合金材料热电转换性能的研究 索开南张维连蒋中伟张书玉 (河北工业大学半导体材料研究所天津300130) K温度(T)范围内不同 摘要：本文以si、Ge单晶作比较样品系统地研究了300--900 异性。 1引言 硅和锗材料是目前较为成熟的两种半导体材料，广泛用于晶体管和集成电路的制造。 2 尽管这两种材料的温差电功率因子Q o较大，由于其热导率也高，因而单质si和Ge都不 是理性的温差电材料。人们发现将两者形成合金，就可以使材料的热导率显著下降，而迁 移率的下降则不明显，从而可以获得较大的温差电优值。SiGe合金是目前较理想的高温温 差电转换材料之一，特别适用于700K以上的高温，在1200K时，ZT近似等于1，是当前 RTG(NASA用于航天器的温差电源，利用放射性同位素238Pu自然衰变所释放的热量作稳定 热源)中所使用的热电材料u1。人们发现可以通过调整si和Ge的组分比、掺杂浓度和种 类以及改进制备方法等一系列措施来进一步提高SiGe合金的zT值旧。。 SiGe合金作为热电材料具有很多优点，首先SiGe合金在效率上可以与已有的最好高 温热电材料相比拟，而且n型和P型合金的热学、电学性质非常匹配，这在器件设计上是 非常有利的。最重要的一点是，在高温下SiGe合金的化学稳定性和机械强度好，抗宇宙 射线辐射干扰能力比较强，可应用于空气和真空中，而热电转换效率不会有大的变化B。， 因此特别适合于空间环境。本文重点研究了300--900K温度(T)范围内不同Ge含量(x)SiGe 度范围内随X和T的变化。讨论了不同晶向SiGe单晶Seebeck系数的各向异性。 2实验方法及结果 2．1试样制备 本实验采用cz法生长SiGe体单晶，籽晶采用掺Ge浓度约为1019Cmq的硅锗单晶切制 而成，单晶的直径约为①60mm，晶体掺锗浓度(锗硅重量比)分别为：0％，0．5％，5．0％。 晶体生长在高纯氩气氛下进行，硼(B)和磷(P)分别做为P型和n型掺杂剂。为了控制 Ge在si中纵向分布的均匀性，采用变速拉晶，生长速度在头部时为0．8mm／min，随着晶 体不断生长，拉速不断降低，至尾部时为0．1mm／min。采用相同的生长工艺制备了含Ge20 ％的SiGe多晶样品。实验所用样品选择生长的单晶中均匀性较好的部分。样品的组分和 均匀性用扫描电镜能谱和SINS测试确定。 2．2实验方法 判断某种材料是否合适热电应用，必须首先对材料的温差电优值进行评估，这就要从 对材料参数--Seebeck系数、电阻率和热导率的测量入子，而且测量的温度范围通常覆盖 整个工作温度范围。目前，尽管上述参数的测量技术是成熟的，但对于热电材料而言，由 于它们具有电阻小、热导率低、测量Seebeck系数时的电压信号弱等特点，要实现精确测 -309- 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 量仍然是比较困难的旧1。 我们利用静态法测量高温Seebeck系数的原理，即将试样恒定在某一温度，再让试样 一端局部加热，造成两端面的温度差，测量两端热电势u和△T，设计研制了一台Seebeck 系数测试仪，由样品夹、加热器、控制系统和测量系统四部分组成，控温精度为±l℃。 利用此装置测量了300--900K温度范围内SiGe材料的Seebeck系数随温度的变化关系。 同时采用阶跃函数式加热法测量了不同Ge含量样品的热导率。热源温度控制为150。C， 保持恒温，冷源温度控制在约为50’60。c。测得了不同样品的卜手关系k。根据公式 1 hk 计算得到不同样品的热导率。 名=一a(M7+÷c础庇)；， 3。 A 电阻率的测量采用四探针法，以避免接触电阻的影响。测量不同温度下试样电导率时， 用上述测量Seebeck系数的设备进行加热。通过控制试样两端加热功率，将试样升至不同 温度，当温度稳定时对样品进行测试。测量时改变电