GaAs%2fInAs纳米线量子点的单光子发射研究.pdfVIP

MBE2013 专题邀请报告 IS7 GaAs/InAs 纳米线量子点的单光子发射研究1 * 喻颖, 牛智川 , 李密锋, 查国伟, 王莉娟, 徐建星, 尚向军, 倪海桥 中国科学院半导体研究所，半导体超晶格国家重点实验室，北京 100083 *通讯作者：电话/传真：010 邮箱：zcniu@semi.ac.cn 单光子源是量子计算、量子通信、弱信号测试、量子密钥传输等应用的关键器件。以 SK （Stranski- Krastanov ）模式生长的低密度InAs/GaAs 量子点，由于可在类二能级体系中 周期性地光泵浦或电注入电子、空穴，在低温下具有类原子光谱而用以制备单光子源[1]。 它具有高的振子强度，窄的谱线宽度，波长可调谐，且容易集成等优势，从而成为固态量子 物理和量子信息器件领域研究的热点。目前，实现高效量子点单光子源面临的挑战性问题是 InAs 单量子点的可控制备，如精确定位、有序扩展、与光学谐振腔耦合等。近年来，将单 个量子点置于天然可控的微腔——“纳米线”中的结构被人们广泛关注，而将InAs 量子点耦 合进入 GaAs 纳米线的瓶颈在于 InAs 量子点更倾向于在侧壁成核。本文报道了基于 GaAs 纳米线侧壁InAs 量子点的可控分子束外延生长，设计了一种新型分叉纳米线腔结构并研究 了其单光子发射效应 [2] 。 采用VLS 生长机制，在Si 基上利用Ga 液滴自催化形成的GaAs 纳米线，自组织生长 的InAs 量子点分布于侧面，如图 1 所示，约50%的纳米线由于存在应力使Ga 液滴集聚， 导致侧壁优先生长，形成分叉GaAs 纳米线。SEM 及TEM 结果显示，InAs 量子点正好位于 两根 GaAs 纳米线的分支点，被强量子限制作用的GaAs/AlGaAs 的壳层结构所包裹。进一 步，利用低温共聚焦荧光系统对上述分叉纳米线量子点结构的激子级联发射、单光子特性进 行综合分析，在4.2K 下观测到了单根分叉GaAs 纳米线中单InAs 量子点的高纯单光子发射， 光子计数是其他纳米线量子点的20 倍，其光辐射呈现典型的反聚束特征，在包含噪声和暗 计数下其 g(2)(0)低至 0.031 （图2 ）。同时，还观测到了纳米线中InAs 量子点的单双激子级 联发射过程（图3 ）。 此分叉纳米线量子点是生长在Si 衬底上的，为实现Si 基光子互联、波导耦合等量子器 件提供了新思路，且这种结构不仅具有高品质的单光子发射特性，还具有潜在丰富的量子信 息处理功能，如通过控制分叉点位置实现多通道量子器件，在量子点周围掺杂实现三端调控 量子电学器件等。 参考文献： [1] Mi-Feng Li, Ying Yu, Ji-Fang He, Li-Juan Wang, Yan Zhu, Xiang-jun Shang, Hai-Qiao Ni and Zhi-Chuan Niu, “In situ accurate control of 2D-3D transition parameters for growth of low-density InAs/GaAs self-assembled quantum dots”, Nanoscale Research Letters 2013, 8:86 [2] Ying Yu, Mi-Feng Li, Ji-Fang He, Yu-Ming He, Yu-Jia Wei, Yu He, Guo-Wei Zha, Xiang-Jun Shang, Juan Wang, Li-Juan Wang, Guo-Wei Wang, Hai-Qiao Ni, Chao-Yang Lu, and Zhi-Chuan Niu, “Single InAs quantum dot grown at the junction of branched gold-free GaAs nanowire”,Nano Lett. Article ASAP, DOI: 10.1021/nl304157d, Publication Date (Web): March 6, 2013 1 国家自然科学基金61176012 ）