Si掺杂InAs%2fGaAs量子点中间能带太阳能电池的研究.pdfVIP

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2017-09-01 发布于安徽
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Si掺杂InAs%2fGaAs量子点中间能带太阳能电池的研究.pdf

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MBE2013 口头报告 S7-3 Si 掺杂 InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池的研究 * 杨晓光，杨涛，季海铭，罗帅，王占国中科院半导体材料科学重点实验室，中科院半导体研究所，北京 100083 xgyang@semi.ac.cn 量子点中间能带太阳能电池是一种基于量子效应的新型电池，理论上具有高达63.1%的 [1,2] 转换效率、更小的载流子热效应和优秀的抗辐射能力，是当今太阳能领域的研究热点。尽管理论上优秀的综合性能使得量子点中间能带太阳能电池的发展前景非常值得期待，近年来其效率值也被不断提升，但由于其研究尚处于起步阶段，目前器件性能还不理想，主要表现在器件的开路电压偏低。这主要是由于现有量子点材料制备技术不完善，导致在量子点材料制备，特别是多层量子点材料制备过程中引入了过大的应力。当应力累积到一定程度后，会以缺陷等形式释放能量。缺陷会成为载流子输运过程中的非辐射复合中心，降低载流子的寿命和在器件P 区、N 区的浓度，影响载流子的收集，导致器件开路电压降低。因此，如何改进量子点材料的光学质量是提升电池器件性能的关键。本文中，我们将首先报告一种基于MBE 的高质量InAs/GaAs量子点制备技术。我们发现，在量子点形成的某个特定阶段引入Si掺杂可以大幅提高InAs/GaAs量子点材料的光学质量， [3] 与未掺杂的参比样品相比，引入Si 掺杂量子点的光致荧光 (PL)峰值强度增加约36 倍（图 1）！进一步，我们将此技术应用于InAs/GaAs 量子点中间能带太阳能电池的制备，发现电池的性能也得到显著提高。与未掺杂的参比器件相比，引入Si 掺杂器件的开路电压由0.67V 提升至 0.84V，效率由 11.3%显著提升至 17.0%[4] （图2），接近目前国际报道的最好水平[5] （18.7%）。上述工作得到了国家自然科学基金的支持。参考文献： [1] A. Luque, A. Marti and C. Stanley, Nat. Photonics Vol. 6 (2012) 146. [2] X. G. Yang, T. Yang, K. F. Wang et al., Chin. Phys. Lett. Vol. 28 (2011) 038401. [3] K. F. Wang, Y. X. Gu, X. G. Yang et al., J. Vac. Sci. Technol. B Vol. 30 (2012) 041808. [4] X. G. Yang, K. F. Wang, Y. X. Gu et al., Solar Energy Materials Solar Cells Vol. 113 (2013) 144. [5] K. Tanabe, D. Guimard, D. Bordel, et al., Appl. Phys. Lett. Vol. 100 (2012) 193905. 图1 不同Si 掺杂浓度下InAs/GaAs 量子点图2 不同Si 掺杂浓度的电池样品材料的室温光致荧光图像电流- 电压曲线 92