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掺杂nc—Si：H薄膜应力特性的研究 韦文生o①② 王天民① 张春熹② 李国华③ 韩和相③ 丁 琨③ (北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心①北京100083) (北京航空航天大学宇航学院材光电技术研究所③ 北京 100083) (中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室‘o北京 100083) 摘要首次全面测试了采用PECVI)生长的掺杂(硼、磷)nc．Si：H薄膜的残余应 力坝J试仪测量了nc-Si：H薄膜的残余应力。结果表明：利用PECVD通过控制工艺参 数制备的掺杂nc-Si：H薄膜具有晶态与非晶态两种成分。晶态部分由3～8nm金刚 石结构的纳米硅晶粒(nc-Si)组成，薄膜的晶态率约为40％～60％；晶粒间界部分是 较为无序的Si：H。非晶过渡区。nc-si：H薄膜的残余应力的测试与分析结果表明：掺 杂nc-Si：H薄膜的残余应力与薄膜的微结构密切相关，强烈依赖于制备工艺。压应 力随掺磷浓度的提高而增加；在一定的功率密度范围内掺磷llC、Si：H薄膜的压应力 随功率密度增加而减少，并过渡为张应力；在373～523K之间，掺磷nc-Si：H薄膜的 压应力随温度升高而增加；薄膜的压应力随氢稀释比的变化而变化。 关键词nc Si：H薄膜掺杂《硼、磷)残余应力 _●} ●{ I引吉 nc-N：H薄膜具有高电导、发光等特性，在微电子、光电转换、光电集成以及微机械等领域的 应用前景广阔”oJ，因而激发了广泛而浓厚的研究兴趣，研究热点集中于电学、光学特性及器件制 造等方面”。1，然而薄膜的残余应力是表征薄膜质量的关键指标之一，对器件的可靠性、性能和 L艺成晶率有极大的影响。近年来材料应力已成为国际J二器件町靠性物理研究的重要领域，因 内也有报道…’“，迫切需要开展大圆片薄膜应力及其分布规律的研究。nc—Si：H薄膜的残余应力 电学和光学等物理特l生研究的基础上，我们首次对不同工艺参数生长的系列掺杂(硼磷)ms：H 薄膜的残余应力进行了全面测试和分析．发现其强烈地依赖于本身的微观结构。 2 nc．Si：H薄膜样品的制备以及应力和结构的测试 nc—Si：H薄膜是在高真空PECVI)系统中制备的．制备过程中使用了电容耦合式射频源 corn 。 拓文小：电话：010电子信箱：weiwenshen9287C曲sohu R光电信息功能材料 (13．56MHz)和直流负偏压双重激励。实验参数包括反应气压、射频源功率密度、衬底温 度、¨稀释比、极板距离、直流偏压、气体掺杂比以及气体流量等h“。对本征nc—Si：H薄膜 样品，以H，高度稀释的SiR4作反应气体被射频源分解成等离子体而沉积到衬底上，稀释比 nrfl。 抛光单晶si衬底上，薄膜的厚度均约600-800 nc—Si：H薄膜的应力是用北京大学微电子所研制的干涉法全场薄膜应力测试仪在室温 下测试的。使川了氦氖激光光源(632．8nm)，激光功率为5mw。利用光偏振相移干涉原 理，通过测量由于薄膜应力所引起的衬底形变或曲率半径的变化，转换成薄膜的应力，其应 力分布的表示式为： 式中，E，v为硅衬底的杨氏模量和泊松比；Ts，￡，分别 为衬底和薄膜的厚度。此测量方法有下列特点：应力 有全场性，可以在整个圆硅片卜同时测量形变和应力 分布；测量精度高，町达10N·mf量级(形变量小于 63 一 。………，． 刚鬈勰淼5i：H晶态对应№诰赢斯孤妊因子删．88I 3结果与讨论 3．1掺杂对IIC．Si：H薄膜应力的影响 余压应力缓慢增加。掺硼nc-Si：H薄膜的残余压应力几乎比掺磷的高出一个数量级。 si的晶面间距d。比值为： 竽≈o．0l～o．02