电纺丝技术制备碳纳米管薄膜电极的研究.pdfVIP

电纺丝技术制备碳纳米管薄膜电极的研究 正苛-，萃三文赵晓u}，向五z，赶勇 酉商杰垣t拦埕导许兑#发轨：＆对料学腐，付抖笔谱技书裁声都差，皇买驻至r删川戚布 ^，0031 edu。n E—mail：／iangqi(jJhomesnjtu 勰 翻 麟糕黼阌 罔l电轩韭拽术制件的C]gT薄膜E艟曲光学照片 圈2普通技术制得的cNl薄鹱电极曲光学豫片 J ofCNTfilm 2 electrode images Fig Fig LightMicroscope preparedbynormalmethod el∞tmdepreparedel∞rrovsffinning 圈3为由两种CNT薄膜电报所组成模拟Esc的循环伏安曲线图．由田可知，由电纺丝技术 制悍的cNT电极所组装的Esc的循环伏安曲线比由昔通淙覆技术制得的cNT薄膜电极所组装 的Esc循环伏安曲线明显太。从而暗示电纺丝技术制得的cNT电掇所组装的ESC具有更好的电 容性能．即电化学容量较大． 圉4为由两种CNT薄膜电极所组成模拟ESCVJ恒流充放电曲线圈．由围可知，在相同的壳 J-033 放电电流和电极质量下，由电纺丝技术制得的CNT电极所组装的EsC的充放电时间较长．根据相关公 式可计算出由电纺丝技术制得的cNT电极的单电极容量约为32．0F／g；而由普通涂覆技术制得的cNT 薄膜电极单电极容量约为24．OF／g．由此可见，采用电纺丝技术制得的CNT薄膜电极的单电极容量明 显提高．另外，经测试表明，两种电极都有良好的充放电效率和长的循环使用寿命。 图3两种CNT薄膜电极的循环伏安曲线 图4基于两种CNT的ESC恒流充放电曲线 (a，普通涂覆技术；b，电纺丝技术；扫速 (a，普通涂覆技术；b，电纺丝技术；电流I=0．2mA) 20mV·S一1) 4 curv帮ofESCsbased011twoCNT FigCharging／discharging 3 ClffV龋oftwoCNTfilmelectrodes FigCyclicvoltammogram film electrodes(a，normal method；b，electro-spinningmethod； (a，normal metIlod：8c锄rate：20 method；b。electro-spinning current charging／dischargingI=0．2mA) mV·s。11 综上所述，在相同的电极材料，相同组装方法，相同的测试条件下，．我们利用电纺丝方法就可 轻松的将电极的电化学容量提高。从而证明电纺丝技术是一优良的制备电极的技术，在电极制备领 域具有很广泛的应用前景． 2006202—006—1)和西南交通大学基础科学研究基金资助项目。 参考文献： ct ai．Elcctrochcm 【l】MastragostionM，Arbir_zaniC，ParavcntiR Soc,2000，、147：407． 【2】lijimaS．Nature,1991，354：56． [3】江奇，刘宝春，翟美臻等．化学学报，2002，60(8)：1539． 【4】江奇，赵