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光感生电流法研究硅器件表面保护材料带电特性
·董小兵1，江秀臣1，徐传骧2
(1．上海交通大学电气工程系高压教研室200030)
(2，西安交通大学电气绝缘研究中心710049)
摘要：光感生电流测量技术是一种可用于分析半导体中p-n结分布的非破坏性方法．光感生电流测
量技术通过测量光电流的变化，可以在微米尺度上直接观察到反向电压作用下高压p-n结电场的变
化．本文通过测量p-n结表面耗尽区的扩展，利用电场模拟计算，研究分析了硅器件表面钝化保护
材料与硅界面问电荷对表面耗尽区宽度的影响，并对该电荷的大小进行了计算．界面等效电荷对p-n
结电场集中的影响给出了实验结果．
关键词：硅器件；表面耗尽区；光感生电流法；界面电荷
Electrificationeharaeteristiesof
Surface materials Beam
protection byOpticalInduced
Currentmethod
Xu
DangXiaobinglJiangXiuchenlChuanxian92
Jiao
(1．ShanghaiUniversity，Shanghai200030，China)
tong
(2．XiTan
JiaotongUniversity，Xi’all710049，China)
Abstract：The BeamInduced isa methodto the
OBIC(Optical Current)techniquepowerful investigate
fielddistribtiffonof in
p-n{unctionssemiconductor．Thebeamindueed
optical
allowsa direct ata level reverse
of under
imaginghighvoltagep-njunctionsmicroscopic operating
conditions thelocalvariationofthe simulationshowsthat
by photocurrent．Electrical
measuring analysis
calculationresultscRnbeusedtodiscusstheinfluenceoftheinterface betweensurface
charge
materialsandsemiconductoronthesurface width．Theinterface
passivation／protecting region
depletion
at
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