感应耦合等离子体化学气相淀积制备厌水性碳氟聚合物薄膜及其特性的研究.pdfVIP

感应耦合等离子体化学气相淀积制备 厌水性碳氟聚合物薄膜及其特性的研究水 曾雪锋岳瑞峰吴建刚 胡欢康明刘理天 清华大学微电子学研究所 北京 100084 件与去离子水和薄膜之间的静态接触角的关系。结果表明，随着c．c4F8的气体流量增加和射频功率减小， sccm和射频功率为400W的情况下， 去离子水和薄膜之间的静态接触角增加。在c-C4F8的气体流量为60 去离子水和碳氟聚合物之间的静态接触角为1120。分别利用原子力显微镜(刽FM)和x射线光电子能谱 (xPs)测试了薄膜表面的形貌和化学键，分析了静态接触角增加的原因． 关键词：厌水性薄膜感应耦合等离子体化学气相淀积接触角 碳氟聚合物 1．引言 固体表面的厌水性在生物、微电子、微机电系统(MEMS)、微全分析系统等许多方面有非常重要的应用， 包括在人造血管中防止血液凝固fl】、消除微结构在湿度变化的环境中使用时出现的表面粘连f2】、以及在介质 上电润湿【3‘51、介电电泳旧和静电驱动器件f7】中增加液体和固体表面之间的接触角或减小液体运动时的流阻 等。固体表面的厌水性是由表面的几何机构和化学成分共同决定的【8】。目前，制备表面平整的厌水性薄膜有 Teflon材料【9】，如聚丙烷、聚四氟乙烯等；另一种是利用cvo(cheroical Vapor 备含氟有机薄膜15,10]。 法制备薄膜的过程中薄膜的均匀性和共形性不能很好地控制。因此，利用CVD制备含氟有机薄膜开始受到人 了一些研究工作。 在ICP-CVD伟tJ各过程中，缠绕在等离子体腔外围的射频功率线圈将能量感应耦合到等离子腔中的气体中， 使反应气体电离成等离子体。然后，在衬底上淀积等离子体腔中产生的高密度等离子体，这样就可以制备出 高质量的薄膜。因为大部分的气体离化、分解的过程是在远离衬底的等离子体腔中进行的，所以，ICP．CVD 在制备高质量的薄膜的时候，基本上不会使衬底温度升高或对衬底造成破坏【l¨。本文采用ICP．CVD方法并以 c-C4F8为反应气体制备出厌水性的碳氟聚合物薄膜，并进一步研究了不同淀积条件对去离子水和薄膜之间的 静态接触角的影响。 2．实验方法 我们采用英国STS公司的Mesc Multiplex mTorr。制备过程中，衬底保持 杂、晶向为000)的硅片为衬底。薄膜制备前，等离子腔中的压力为0．25 sccm变为40seem，射 室温，工作压强为7mTorr。薄膜的制备条件如表I中所示，c．C4F8的气体流量从60 频功率从600W变为400W。过低的射频功率和过高的气体流量都会妨碍等离子体的产生。薄膜的制备 时间为4rain。 ’本项目由国家自然科学基金．和消华大学基础研究基金(GrantNoJC2003060)资助。 392 表1不同淀积条件下薄膜厚度与折射系数间的关系 样品样品 …．。 淀积条竺…． 厚度(A)厚度(A) 捉积远翠(～s)淀积速率(从) 折射系数折射系数 I 射频功率(w) 气体流量砸m) I 600 40 4962 21 1．37 11 600 60 6797 28 1．39 III 400 40 504l 2l 1．37 Electron 薄膜的厚度通过SEM(ScanningMicroscope，扫描电子显微镜，KYKY28008)和椭偏仪(Gaerfn，