平面近场辐射的单色效应和偏振态研究.pdfVIP

中国工程热物理学会 传热传质学 学术会议论文 编号：073334 平面近场辐射的单色效应和偏振态研究 车志钊 张昊春江乐 谈和平 l (哈尔滨工业大学，能源科学与工程学院，哈尔滨 50001) Tel：0451 E_mail：che血i出ao@gmail．com 摘要近场辐射是微纳米尺度辐射的重要问题，本文计算了平面内涨落电磁场产生的电磁能密度和 两平行平面间的微纳米尺度辐射热流，分析了介电常数对近场辐射中单色效应的影响，对于SiC，单色 效应极大地提高了电磁能密度和近场辐射换热量，而对于A坝0没有明显的单色效应。本文还分析了不 同偏振态的影响，对于Sic材料，在微纳米尺度范围内，电磁能密度和辐射换热量主要受p偏振的近场 倏逝波的影响，而s偏振电磁波和p偏振的远场传播波对微纳米尺度下的辐射总量贡献可以忽略。 关键词热辐射近场单色效应偏振 1引言、 纳米技术、微电子机械系统(MEMS)的发展，给传热学领域带来了新的挑战。微 纳米尺度热辐射传输关注在微纳米尺度下才能观察到的热辐射传输现象【JJ，同时也可以 对宏观的辐射传热现象给出微观的解释，而近场效应在微纳米尺度下作用显著。 热辐射的产生是由于物质内部产生涨落电流，并以涨落电磁波的形式向外辐射能 薰。该涨落电磁波既包括波矢为实数的传播电磁波，也包括波矢为虚数的倏逝波，后者 的电磁场幅值随传播距离的增加呈指数规律衰减，在大约几个波长的范围内起作用。在 物质界面处产生的倏逝波，在垂直于界面方向上不传输能量，而能量沿平行于界面的方 向传播；是一种表面波。 微纳米尺度辐射具有广阔的应用前景。在热光电(TPV)转换设备中，它可以用来 提高TPv转换设备的功率密度和转换效率圳。在扫描隧道显微镜、扫描热显微镜川中， 探针与样品之间的近场辐射作用显著。在低温科学中，光子的平均自由程比常温下大得 多，对应的产生尺度效应的特征尺寸要比常温下大得多。另外，微纳米尺度辐射传输研 究，对发展新型光予器件、新型光学传感器和测量技术、纳米光刻、高密度磁光存储、 近场探测具有重要意义。 ’在近场效应下，辐射可能在某频率下呈现明显的峰值，使辐射电磁能密度和热流密 度提高几个数量级，即单色效应。带采用掺杂、表面微观改型等技术改变辐射的峰值频 率，可以实现辐射换热的有效调控。同时，不同偏振态对辐射的贡献可能差别很大，分 析其作甩规律，对开展微尺度辐射的理论研究与实际应用具有重要的指导意义。 基金项目：国家自然科学基金重大国际合作研究项目(No．50620120442)资助 767 2理论基础 微纳米尺度辐射较常规尺度下更复杂，其机理研究多从简单几何形状入手，如两平 行平面、两纳米粒子、以及粒子与表面的辐射问题，从电磁理论出发，基于涨落耗散理 论，采用格林函数法，给出辐射的分析解，并采用数值方法对分析解进行辅助研究。 2．1平面辐射电磁场的电磁能密度 单个平面(或称半无限厚物体)的辐射场，文献【4】中根据涨落耗散理论和格林函数 法，给出了它的电磁能密度，即 式中。(缈)=惫，畦和穆分别是s偏振和p偏振电磁波在界面处的反射系数，％ 是电磁波在真空中的波矢量大小，K是电磁场波矢量在平行于界面方向的分量，n是波 矢量在真空中垂真界面方向的分量，d是计算点到界面的髓离。 2．2两平行平面闻的辐射热流密度 两平行平面问辐射热流密度可以计算垂直于界面方向坡印廷矢量的时间平均值【5】 ．Sr=jiQp，～噬)刎掰 (2) 必=移臀措意+砉岛e删鬻焉础 一r臀斟噼艮删，离鬻尉K (3) 3计算和分析 。介电常数对微纳米尺度热辐射的影响