半导体器件及其特性.pptVIP

电子技术 * 3．半导体的导电能力随温度升高而_______，金属导体的电阻率随温度升高而_______。 A．降低／降低 B．降低／升高 C．升高／降低 D．升高／升高 1．PN结是构成各种半导体器件的基础，其主要特性是_____。 A．具有放大特性 B．具有改变电压特性 C．具有单向导电性 D．具有增强内电场特性 C 2．PN结呈现正向导通的条件是_______。 A．P区电位低于N区电位 B．N区电位低于P区电位 C．P区电位等于N区电位 D．N区电位高于P区电位 B D 4．半导体的载流子随温度升高而_______，也就是说半导体的导电性能随温度升高而_______。 A．减小／增强　 B．减小／减弱 C．增加／减弱 D．增加／增强 D 7．P型半导体中的多数载流于是_______。 A．电子 B．空穴 C．电荷 D．电流 5．半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若_______导电能力会减弱 A．掺杂非金属元素 B．增大光照 C．降低环境温度 D．掺杂金属元素 C 6．在PN结的两端通过一块电流表短接，回路中无其它电源，当用光照射该半导体时，电流表的读数是_______。 A．增大 B．减小 C．为零 D．视光照强度而定 B 8．N型半导体中的多数载流于是_______。 A．自由电子 B．空穴 C．电荷 D．电流 A C 9．在晶体硅锗中，参于导电的是_______。 A．离子 B．自由电子 C．空穴 D．B和C D 12．半导体的导电方式的最大特点是_______。 A．自由电子导电 B．离子导电 C．空穴导电 D．A和C 10．关于P型半导体的下列说法，错误的是_______。 A．在二极管中，由P型半导体引出的线是二极管的阳极 B．空穴是多数载流子 C．在NPN型晶体管中，基区是P型半导体 D．在纯净的硅晶体中掺入五价元素磷可形成P型半导体 D 11．关于N型半导体的下列说法，错误的是_______。 A．自由电子是多数载流子 B．在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极 C．在纯净的硅晶体中掺入三价元素硼，可形成N型半导体 D．在PNP型晶体管中，基区是N型半导体 D C 13．在半导体两端加上外电压时，半导体中出现的电流是____。 A．自由电子电流 B．空穴电流 C．离子电流 D．A和B D 14．关于P型、N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是_______。 A．无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴 B．P型半导体中只有空穴导电 C．N型半导体中只有自由电子参与导电 D．在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电 A 15．N型半导体中，主要靠_______导电，_______是少数载流子。 A．空穴／空穴 B．空穴／自由电子 C．自由电子／空穴 D．自由电子／自由电子 C 16．P型半导体中，主要靠_______导电，_______是少数载流子 A．空穴／空穴 B．空穴／自由电子 C．自由电子／空穴 D．自由电子／自由电子 B 17．下列PN结两端的电位值，使PN结导通的是_______。 A．P端接十5V，N端经电阻接十7V B．N端接十2V，P端经电阻接十7V C．P端接一3V，N端经电阻接十7V D．P端接十1V，N端经电阻接十6V B 18．在半导体PN结两端加_______就可使其导通 A．正向电子流 B．正向电压 C．反向电压 D．反向电子流 B 19．用万用表测二极管时，正反方向电阻都很大，说明_ _。 A．管子正常 B．管于短路 C．管于断路 D．都不对 C 20．电路如图4—1所示，设二极管正向压降忽略不计，二极管处于_______状态，电流表的读数是_______。 A．导通／1．8A B．导通／0．6A C．截止／0．6A D．截止／0A 21．电路如图4—2所示，电压表的读数为_______，二极管处________状态。 A．18V／导通 B．6V／导通 C．6V／截止