Si衬底减薄及氧化对硅基二氧化硅波导应力双折射影响的数值分析.pdfVIP

2009年 11月 内蒙古大学学报 (自然科学版) NOV． 2009 第4o卷第6期 JournalofInnerMongoliaUniversity Vo1．40 No．6 文章编号：lOOO一1638(2009)06—0650—05 Si衬底减薄及氧化对硅基二氧化硅 波导应力双折射影响的数值分析 杨淑英 ，安俊明 (1．呼和浩特职业学院，呼和浩特 010051； 2．中国科学院半导体研究所 ，北京 100083) 摘要 ：采用有限元法对硅基二氧化硅波导在玻璃化过程中的应力与si衬底厚度和背面氧化层 厚度的关系进行了系统的分析；在此基础上，应用全矢量有限差分柬传播法 (FD—BPM)对应 力光波导的双折射进行了分析．结果表明随着si衬底厚度的减薄，波导附近水平方向和垂直 方 向所受应力趋于一致 ，双折射系数B可小于10～；Si衬底背面氧化层 的