ULSI制造中硅片化学机械抛光运动机理.pdfVIP

第 26 卷 　第 3 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 3 2005 年 3 月 　　 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S 　　Mar . ,2005 UL SI 制造中硅片化学机械抛光的运动机理 1 ,2 1 1 1 1 苏建修 　郭东明 　康仁科 　金洙吉 　李秀娟 ( 1 精密与特种加工教育部重点实验室 , 大连理工大学 , 大连 　116024) (2 河南科技学院 , 新乡　453003) 摘要 : 从运动学角度出发 ,根据硅片与抛光垫的运动关系 ,通过分析磨粒在硅片表面的运动轨迹 ,揭示了抛光垫和 硅片的转速和转向以及抛光头摆动参数对硅片表面材料去除率和非均匀性的影响. 分析结果表明:硅片与抛光垫 转速相等转向相同时可获得最佳的材料去除非均匀性及材料去除率. 研究结果为设计 CM P 机床 ,选择 CM P 的运 动参数和进一步理解 CM P 的材料去除机理提供了理论依据. 关键词 : 化学机械抛光 ; 材料去除机理 ; 材料去除率 ; 非均匀性 ; 磨粒 EEACC : 2220 ; 2550 ; 8620 中图分类号 : TN 305 1+ 2 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 中在基于流体动力学理论[9 ,10 ] 及基于接触力学理 1 　引言 论[ 11 ,12 ] 方面 的硅片 CM P 材料去除机理研究上 ; [ 8 ] Tich 及 Yu 等人 还进行了基于接触力学和流体力 ( ) 目前超大规模集成电路 UL SI 制造技术已经 学理论的综合研究. 在基于运动学方面的硅片 CM P μ μ [ 6 ] 跨入 0 13 m 和 300mm 时代 ,特征线宽 0 1 m 技 研究方面 , Hochen g 等人 通过对硅片表面相对速 ( ) 术也正在走向市场. 在集成电路 IC 制造中 ,化学机 度及其影响参数的分析 ,研究了单头抛光机运动变 ( ) 械抛光技术 chemical mechanical p oli shing , CM P 量对硅片 CM P 材料去除非均匀性的影响; Tso 等 不仅是硅片加工中获得超光滑无损伤单晶硅衬底表 [7 ] 人 通过对双面抛光机抛光头与抛光盘的运动关系 面的最有效方法 ,也是 UL SI 多层布线中理想的层 研究 ,分析了磨粒在硬盘基片上的划痕分布非均匀 间平坦化方法 ; 目前 C