在锗硅虚拟衬底上生长掺杂应变硅的结构研究.pdfVIP

MBE2013 口头报告 S2-2 在锗硅虚拟衬底上生长掺杂应变硅的结构研究 邵渊敏 蒋最敏 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 上海市邯郸路220 号 200433 硅基磁性半导体一直是被人们广泛关注的功能材料，因为它在高度发展的硅基电子技术 的基础上开辟了自旋调控的新领域。早在2005 年，实验上就在锰离子注入的硅中发现了室 温下的铁磁性，而且居里温度高达400K[1]。而在 2008 年，我们实验室也尝试了在低温下 （200℃）生长掺铁硅薄膜[2]。但是对于硅基磁性半导体的磁性起源依然存在着很多争议， 因为掺杂磁性原子不但会待在硅晶格的替位或填隙位，还可能与硅原子反应生成硅化物，这 使得研究在硅中掺杂磁性原子变成一个复杂的课题，所以很多的实验和理论研究还是处于比 较模糊的阶段。 在这个复杂的课题中，有关于应变对材料的结构和磁学性能的影响却很少有人关注，然 而，无论是形成硅化物，还是在硅晶格的替位或填隙位掺入磁性原子，都不可避免地会在材 料内引入应变，而应变的产生无疑会改变掺杂原子和硅原子的间距，从而改变材料的结构以 及磁学性能。2008 年，Yabuuchi 曾经通过第一性原理计算，发现3.3%的横向应变就能使得 硅中锰的形成能降低0.1eV[3]。后来他们还研究发现应变能增强硅中的MnSi1.73 纳米颗粒的 铁磁性[4]。但是，就我们所知，有关于应变对硅基磁性半导体的结构和磁学性能影响的实 验研究到现在还没有。 所以我们就准备通过用锗硅虚拟衬底调节硅应变的方法，来研究应变对于硅基磁性半导 体表面形貌和结构影响。我们首先在硅（001）衬底用分子束外延（MBE）技术制备了锗硅虚 拟衬底，方法是：先在450℃生长250 纳米的低温硅层来吸收点缺陷和线缺陷，然后在550℃ 生长了300 纳米的应变驰豫的锗硅合金层（含锗20%）。通过原子力显微镜（AFM）我们发现 表面粗糙度控制在1 纳米以下而且通过计算拉曼光谱（激发波长325 纳米）的硅硅峰和锗硅 峰的峰位 （图1），我们发现表面附近锗硅应变的驰豫度达到了98%。 然后，在此衬底上，我们分别制备了应变和非应变的多层掺杂（铁或锰）硅薄膜，结构 如图2。为了生长出平整的表面，我们分别用不同的方式来生长掺锰和掺铁的多层膜。对于 掺锰的多层膜,我们在200℃生长多层膜后原位400℃退火5 分钟。从拉曼光谱中，我们发现 无论是应变（图3 （a））还是非应变（图3 （b））多层膜，刚生长完样品中，MnSi 相都在硅 结晶前就已经形成了。而当样品在氮氢混合气体中600℃快速退火2 分钟后，硅完全结晶， 而且MnSi 逐渐转变成MnSi1.73。而且有趣的是，即使是在非应变的样品中（图3 （b）），Si-Si -1 -1 峰（518.5cm ）偏离了520cm ，这说明了锰硅合金的形成在使得硅中产生了额外的张应变。 而对于掺铁多层膜，我们直接在400℃生长多层膜。然而，从拉曼光谱中可以看到（图3（c））， 无论是应变还是非应变多层膜，我们都没有发现有铁硅合金相产生，而且在非应变多层膜中， 没有发现和掺锰多层膜一样的应变产生。 参考文献： [1] M. Bolduc, C. Awo-Affouda, A. Stollenwerk, M. B. Huang, F. G. Ramos, G. Agnello, and V. P. LaBella, Phys. Rev. B 71, 033302 (2005). [2] W.F. Su, L. Gong, J.L. Wang, S. Chen, Y.L. Fan, Z.M. Jiang, J. Cryst. Growth 311, 2139–2142 (2009). [3] Shin Yabuuchi, Eiji Ohta, and Hiroyuki Kageshima, Jpn. J. Appl. Phys. 47, 26-30 (2008). [4] Shin Yabuuchi, et,al. , Phys. Rev. B 78, 045307 (2008). 27 MBE2013