化学机械研磨工艺中铜腐蚀的研究.pdfVIP

目 录 摘 要……………………………………………………1 Abstract．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．：! 引々l 言……………………………………………………3酉……………………………………………………O 第一章 铜化学机械研磨(CMP)原理……………………………．4 第一节 铜互连工艺的意义………………………………………………………………4 第二节 双大马士革工艺…………………………………………………………………．6 第三节 ClVlP基本原理…………………………………………………………………．7 第四节 ClVlP设备简介…………………………………………………………………lO 第五节·铜制程CMP……………………………………………………………………。15 第六节 本文主要内容记章节安排……………………………………………………。16 第二章 铜制程CMP存在的腐蚀问题与分析………………………．18 第一节 铜制程ClVlP常见问题…………………………………………………………18 第二节 铜制程CIVlP产生的腐蚀问题……………………………………………………19 第三节 晶圆研磨前的腐蚀……………………………………………………………．20 第四节 研磨中发生的腐蚀………………………………………………………………22 第五节 清洗与干燥带来的腐蚀………………………………………………………．23 第六节 研磨结束后的腐蚀………………………………………………………………25 第七节 防止铜腐蚀的理论性研磨……………………………………………………．27 第三章 铜制程CMP的防腐蚀研究及优化方案设计…………………．28 第一节 晶圆研磨前预处理……………………………………………………………28 第二节 研磨液的选取与保护液的使用………………………………………………29 l 第三节 清洗与干燥……………………………………………………………………3 第四节 研磨后的晶圆保护……………………………………………………………．33 第四章 生产中的防腐蚀优化方案验证…………………………．．35 第一节 晶圆表面腐蚀情况验证………………………………………………………．3S 第二节 优化方案下机台性能验证…………………………………………………．35 第三节 产品良率验证……………………………………………………………………4l 第五章 结论与展望…………………………………………50 第一节 结论……………………………………………………………………………。50 第二节 展望……………………………………………………………………………。5l 参考文献…………………………………．．………………52 致谢………………………………………………………54 铜作为新的互连材料被引入集成电路的制造之后，以及大马士革工艺的采 用，带来了新的工艺挑战。铜在化学机械研磨面临的铜腐蚀问题使得产品良率和 可靠性都受到威胁。本文通过实验，量化研究了生产过程中的防腐蚀问题，并通 过实验得到了局部的腐蚀防止办法，研磨前的晶圆预处理，避免水与研磨液的溅 湿，正确的研磨液和清洗剂选取，晶片保护液的正确使用，适当的干燥时间选择 以及之后晶圆环境的保护，这些都在批量生产中得到了可行性验证，在一定程度 上减少了生产时铜腐蚀的发生几率。 研究表明，CMP工艺中铜腐蚀发生的必要条件是有腐蚀性的溶液或者湿润的 环境溶入其他离子后形成的电解质溶液。而能够防止铜在CMP制程被腐蚀的理论 性研磨环境主要取决于：1)保证良好的研磨前处理，使晶圆在被研磨前避免受到 腐蚀性气体或者液体的接触。2)选择好的研磨液和正确使用保护液，以保证其在 研磨各步骤间以及从研磨至清洗阶段得到很好的保护。3)确保彻底的清洗和