联氨对化学水浴沉积ZnS薄膜的影响.pdfVIP

维普资讯 《半导体光 电}2007年 1O月第 28卷第 5期 冒国兵： 联氨对化学水浴沉积 ZnS薄膜的影响 联氨对化学水浴沉积 ZnS薄膜的影响 冒国兵 ，刘 琪 ，敖建平。 (1．安徽-1-程科技学院 机械工程系，安徽 芜湖 241000；2．南开大学 光 电子薄膜器件与技术研究所 ，天津 300071) 摘 要 ： 在A(ZnSO 、SC(NH2)2、NH OH)和含有联氨的B(ZnS0 、SC(NH2)2、NH OH、 (NH ))两种水溶液中采用化学水浴法沉积 ZnS薄膜 ，研究了联氨对薄膜沉积过程和薄膜性质的 影响。结果表明，加入少量联氨以后 ，薄膜沉积速度 明显增加。两种溶液沉积 的ZnS都为立方相 结构，且含有联氨的B溶液沉积的ZnS薄膜表面附着颗粒较少。在含有联氨的B溶液 中沉积的 ZnS薄膜结晶度和短波区的透过率均高于A溶液沉积的ZnS薄膜。将两种溶液沉积的ZnS薄膜 作为