以化学气相沈积法制备奈米碳管之的研究.pdfVIP

實驗名稱 以化學氣相沈積法製備奈米碳管之研究 一、實驗目的 學習以高溫爐管應用其化學氣相沈積法成長奈米碳管，因奈米碳管之成長 可分為兩種；一種為無觸媒之成長方式、另一種為觸媒成長方式，因無觸媒成長 方式比較無法成長出品質好的奈米碳管，於是本實驗採用觸媒式成長奈米碳管。 二、實驗原理 2.1. 奈米碳管之成長理論 碳管的成長機制不只一種。最常見的機制是預先在基材上沈積金屬催化劑顆 粒(鐵、鈷、鎳) ，然後通入碳的化合物氣體(乙炔、甲烷) ，使催化劑的表面快速 地形成穩定的管狀碳化物，也就是碳管的成核初始模板，接著在慢慢的成長石墨 化的管壁，而成為奈米碳管。然而，碳管石墨化管壁的形成有兩種截然不同的理 論，第一種是根部成長(Root Growth)如圖一(a) ，碳的沈積會發生於梨形金屬催化 劑顆粒曲率較低的表面上並沿的濃度梯度擴散沉澱，然而顆粒頂點曲率較大的部 分則不會沈積，因此會向上成長為空心結構的碳管。第二種為頂端成長(Tip Growth)如圖一(b) ，碳管的成長固定於基材上，係利用散佈於基板中的催化劑金 屬微粒作為碳管生長的起源，將碳氫化合物或石墨棒經高溫熱裂解後，沈積在催 化劑金屬微粒根基底部，氣化後的碳源不斷的往催化劑底部沈積且慢慢將金屬微 粒往上推。直到碳源中斷或催化劑失去活性後即停止生長。由此可知碳管的直徑 取決於催化劑的顆粒大小。 C H n m C C Metal Substrate 。 (a) 根部成長 長 C H C + H n 2 C Metal Substrate (b) 頂端成長 圖一、碳管的生長機 2.2. 化學氣相沈積法（Chemical vapor deposition ） 化學氣相沈積法（CVD ）是目前製備單層奈米碳管最有效率的方法，此法 可應用於大表面積的生產或擁有多種產物型態的特質。而此法最早是被用來製作 碳纖維。其原理示意圖如圖二反應主要原理乃是將 CH 、C H 等碳氫化合物的 4 2 2 氣體，通入高溫的石英管爐中反應（約 800～1,200℃），碳氫化合物的氣體會因 高溫而催化分解成碳，吸附在基板催化劑表面而進行沉積成長。由化學氣相沉積 法所得到的碳管直徑約25~130nm 不等，長度 10~60nm 以上。 Gas sensor Quartz Wafer Gas in Pumping 圖二、水平式高溫爐管 三、實驗設備儀器與材料 設備：超音波震盪器、sputter 濺鍍機、Thermal CVD 材料：丙酮、異丙醇、甲醇、矽晶圓(n-type 、p-type) 四、實驗步驟 4.1. 第一部分:以sputter 濺鍍系統沈積觸媒 1. 助教將清洗矽晶圓步驟教導同學，在教導同學切割矽晶圓。 2. 助教先教同學sputter 濺鍍系統之基本介紹，與真空理論課程