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Fe掺杂ZnO稀磁半导体的结构与磁性.pdf

第47卷 第6期 吉林 大 学 学 报 (理 学 版 ) Vo1.47 No.6 2009年 11月 JournalofJilinUniversity(ScienceEdition) NOV 2009 Fe掺杂 ZnO稀磁半导体 的结构与磁性 刘惠莲 ,张永军 ,王雅新 ,魏茂斌 ,杨景海 (1.吉林师范大学 物理学院,吉林 四平 136000; 2.中国科学院长春光学机械与物理研究所激发态重点实验室,长春 130033: 3.中国科学院 研究生院,北京 100049) 摘要:以Fe(NO,),·9HO与Zn(NO,):·6HO为原料,与适量的柠檬酸配制成溶液,采用 溶胶一凝胶(sol—ge1)法合成干凝胶前驱体,将前驱体在空气及氩气气氛中烧结得到Zn。一FeO 样品,并用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜 (TEM)、X射线光 电子能谱(XPS)和振动样 品磁强计(VSM)对所制备样 品的结构和磁性进行研究.结果表 明,在氩气 中烧结时,Fe在 ZnO 中的掺杂摩尔分数小于4%,在空气中烧结时,Fe在 ZnO中的掺杂摩尔分数约为10%, 在两种气氛下制备相 同掺杂摩尔分数样 品的磁性不同,是由于Fe在样 品中所处的价态不同, 从而影响了样 品的结构及磁性. 关键词:稀磁半导体;Fe掺杂ZnO;溶胶-凝胶法 中图分类号:0472.5 文献标识码 :A 文章编号:1671-5489(2009)06—1282-05 StructureandM agneticPropertiesofFe-Doped ZnO DiluteM agneticSemiconductors LIUHu1.1ian1,,ZHANGYong.Jun,WANGYa—xin,WEIMao—bin,YANGJing.hal 1、CollegeofPhysics,JilinNormalUniversity,Siping136000,JilinProvince,China; 2,KeyLaboratory0厂ExcitedStateProcesses,ChangchunInstituteofOptcis,FineMechanicsandPhysics,ChineseAcadem) 0厂Sciences,Changchun130033,China;3.GraduateUniversityofChineseAcademyofSciences,Beijing100049,China) Abstract:Thedrygelprecursorsweresynthesizedfrom ZnnitrateandFenitratewithacitricacidsolutionby meansofso1. Imethod。WeobtainedaseriesofZn1…Fe0aftertheprecursorsweresintered inairandin argon.ThestructureandmagneticpropertiesofZnl FeOwerecharacterizedbyvirtueofX—raydiffraetometer 一 (XRD),transmissionelectronmicroscope(TEM),X—rayphotoelectronspectroscopy(XPS)andvibration samplemagnetometer(VSM).TheresultsshowthatthedopingconcentrationofFeinZnOsinteredinairis lessthan4% .whil

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