宽带隙立方氮化硼薄膜的n型掺杂研究.pdfVIP

第}七届全田半导体物理学术会议论文集 中田·长軎2009年8月16日00日 宽带隙立方氮化硼薄膜的n型掺杂研究‘ 姚倩，邓金祥“．汪旭洋．杨萍，陈光华 北京工业大学应用数理学院北京100124 引言： 立方氮化孺是^工合成的Ill--V族闪锌矿结构化舍物半导体材料．它具有类似于甚至优 于金刚石的优良的物理、化学性质而成为人们研究的热点。例如：c-BN的禁带宽度很大(6～ 6．4eV)．可实现n型和p型掺杂(而金刚石的n型掺杂极其困难)tq,因此可用于制备高温、 高频、大功率张电子器件和短波光电子器件m。然而，制作这些器件的前提是实现立方氪化 硼(c．BN)的n型和口型掺杂。为了得到c-BN薄膜的n型掺杂，可以S、C、Si为掺杂剂进 行实验；为了得到十md的P型掺杂，可以Be、Mg、Zn为掺杂剂”“。 本文中，通过原位掺S的方法．在利用鞋控溅射系统沉积BN薄膜的过程中成功地实现 了薄膜的n型掺杂。掺杂后的薄膜利用傅立叶变换红外吸收(Fr【R)光谱进行表征：并在薄 膜上制备Ag电极，使用Keithley6517高阻仪测量了样品的表面w特性。 1实验 ll c-BN薄膜的S掺杂 将S粉和BN糟以质量比为ll的比例混合压片后，置于h-BN靶材上表面中心处。在 间等条件不变，在不同的溅射功率(DOW、200W、250W)下，制蔷一组薄膜样品。沉积完 成后，将样品置于管式炉中。在氰气保护下进行700℃、30mits高温退火处理．以激活掺入 BN薄膜中的s原子．经退火处理后的薄膜， 应用FTlR光谱进行相结构分析。 I 2Az电极的制备 ： 采用磁控摄射法，分别在未掺杂样品、掺； 杂样品、以及掺杂后卫经高温退出处理的样品 } 表面镀上，时为2xSrnm2的Ag电极。电极制 备完成后，我们利用Keithley6517高阻仪在室 温干燥的环境下，对薄膜的I-V特性进行酒试． 2．结果与讨论 “gl不同溅射功率下薄膜的n外吸收光谱 c_BN尊膜的红外光谱囊征 圈l所示，为在不同的溅射功率下，进行 s掺杂后并经退火处理后的一组样品的傅立叶变换红外吸收谱图。研究表明p】：衬底上立方 氰化硼(c．BN)和六角氮化硼(h-BN)有着相近的红外灵敏度因子，因而，立方氮化硼薄膜 中每个组分i(c．BN和h-BN)的含量C．可根据下面的公式计算。 ， C=——』一 ’^咄+‘瑚 式中ⅧI +鬟销嚣麓器嘏撬蹂黧勰掰。“京市雠科学“瓷助舶。8 ”通信联系^：j曲删址。扎％ R-20U 第十七届全国半{件物日学术会议论支集 中国·K春2009年8月16 的吸收峰的强度。 结合谱图，我们可估计出每个样品的立方 9％、231％、8铂。其中 相含最，分别为：40 蚓2给出，．不同溅射功率F制得的样品的市 方柑含量变化曲线。由此可知，制备样品时溅 射功率为150W最佳。在该溅射功车下，既能 达到BN薄膜的成核要求，又不会斟太高能量 的离子轰击靶面IⅢ产生过高的温度使S在很 短时问内很快蒸发掉。 n型c．BN薄膜的表面I-v特性 1■¨……m 6517高阻仪，对来掺杂样 …㈣p口¨m 利用Keithley 2不同溅射功率下薄膜的t方相含量 品、掺杂样品、咀及掺杂后又经高温遇火处理 Fig 的样品分别进行表面1-v特性的测试。测试表 30rains高温退火处理后，薄膜屯流r升了约 明，溅射功率150W下制备的样品，经700C、