AlGaN薄膜的MOCVD生长及P型掺杂研究.pdfVIP

材料、器件与装备技术篇 Mate AIGaN薄膜的MOCVD生长及P型掺杂研究 刘斌，张荣，谢自力，修向前，陈鹏，陆海，韩平，郑有蚪 南京微结构国家实验室(筹)，江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京大学物理系 1小时。为了减轻寄生反应，采用的总气流量高达 摘要 14升／分钟和反应腔压强低至76Torr。该系列实验共 AlGaN薄膜是LED结构的重要组成部分。本文 生长5个A|GaN样品，TMA|流量保持一定为 报告我们在蹦GaN薄膜的MOCⅥ)生长及p型掺杂 1 5、 1．8帅oI，分钟，改变TMGa流量，分别是25、1 研究的薪结果。 引言 分钟，对应的样品编号1、2、3、4、5。生长过程 由于A|GaN合金宽带隙和优异的光电特性，采用原位光学干涉仪监控，可以观察到由薄膜光程变 用它制备的紫外LED和LD以及光电探测器在多个化引起的干涉条纹。样品取出发现2英寸外延片外 应用领域有重要的应用价值，受到了研究者极大的 观均匀透明，采用光学显微镜未在表面观察到裂纹。 重视。在国内外展开AIGaN合金及器件研究的小组AIGaN合金的AI组分采用高分辨X射线衍射 有很多，材料质量大大提高，器件应用取得了令人 鼓舞的进展。但是，A|GaN材料生长中还有许多问 题需要深入研究，如高AI组分A|GaN合金生长和Al 和非对称面(102)的摇摆曲线半峰宽来评价。表面形 的寄生反应控制，p型AlGaN掺杂和激活机理等，貌利用原子力显微镜(AFM)和扫面电子显微镜 本文主要就上述问题展开研究。 (SEM)来观察。光学带隙由阴极荧光谱(CL)分析得 到，并拟合得出在生长的AIGaN合金范围内的能带 高AI组分AIGaN合金生长和能带弯曲参数 弯曲系数b。 采用MOCVD在2英寸Q-A1203(0001)上生长 AIGaN薄膜。…族反应源Ga和A|分别采用TMGa和面间距，并通过Vegard定理确定AI组分，如图1所 TMA|，用H2作为载气，V族反应源采用NH3。首先，示。样品1至5均观察到两个很强的衍射峰，所带的 肩峰是由Cu 在1150。C下用H2清洗宝石表面，然后采用两步法 K2引起的。2位置为34．56。对应的是 生长高质量GaN支撑层，厚度为2帅。GaN生长结 束后，将反应腔温度保持在1100。C，生长高温AIN，(0002)衍射峰位随AI／III摩尔比增加，向大2角度偏 厚度30nm。经过短暂的生长中断后，同时通入移，2角度分别为34．74。、34．86。、35．00。、 35．34。、35．73。。同时，我们也观察到了高温AlN TMGa和TMAI，进行A|GaN层生长，生长时间均为 ￡ 星蒌 量藿