熔体混合与半固态电磁搅拌复合处理对初生Si相细化的研究.pdfVIP

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2017-09-01 发布于安徽
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‘机电技术》2009年增刊材料及成型技术熔体混合与半固态电磁搅拌复合处理对初生Si相细化的研究王连登1’2朱定一1王尤生1宋伟2黄利光2 (1．福州大学材料科学与工程学院：2．福州大学机械T程及自动化学院，福建福州350108) 摘要：本文分别采用半固态电磁搅拌法和熔体混合结合电磁搅拌技术来制各AI-20％Si合金，研究表明单纯采用 la 电磁搅拌技术制备AI．20％Si时，会产生偏析层，其初生Si平均尺寸在60m以上：而采用熔体混合+电磁搅拌复合处理可使A1．20％Si合金中的初生Si尺寸降至16pm以下，可消除在单纯电磁搅拌合金边缘出现的粗大的初生Si的偏析层，并且熔体混合处理处理还可以强化过共品A1．20％Si合金的电磁搅拌效果，可获得良好细化效果。关键词：过共晶铝硅合金初生Si熔体混合电磁搅拌细化中图分类号：TGll3文献标识码：A the theAI-20％Si TheEffectonRefinementof Sion theCombinationof Primary alloyPreparedby withtheSemisolidInduetin Melt-Blending stirring Zhu wei2 WangLiandeng。。2DingyilWangYousheng‘SongHuangLiguan92 Scienceand (I．CollegeofMaterials Engineering,FuzhouUniversiO,； 1 350 2．CollegeofMechanicalEngineering，FuzhouUniversity,Fuzhou08，China) Abstract：TheAI·20％Si were theSemisolidinductionandthe Alloy preparedrepectivefullyby stirring withinduction resultsshow theAi-20％Si melt-blendingaccompanying stirring．The that，when Alloysingly theSemisolidinduction stucturewould the ontherimof preparedby stirring，the producesegregationlap ingot ascastedandits diameterof Siwould 60lam．While the than average primary higher preparedby withtheinduction wouldeliminatethe andits melt-blendingaccompanying