Re-Os膜M型阴极的研究.pdfVIP

Re一0s膜M型阴极的研究 胡大容王曙光 776厂 成都610051 摘要本文从阴极活性、发射能力、寿命及表面状况等方面开展对覆Re-Os膜M型阴极的研究，并与 其他类型的M型阴极进行对比，得}}jRe一0s膜M型阴极的发射能力、阴极活性、寿命等已达到通常的M 型阴极的水平。 关键词 M型阴极偏离点电流拐点温度逸出功 1、引言 阴极是真空电子管的心脏部件，覆膜钡钨阴极自1966年由P．Zalm等人最早研究提出，已经历了 40多年，我国从上世纪八、九十年代开始已逐渐得到普遍应用。当今世界各国对多种M型阴极如：Ir、 0s、Os—Ru、0s—Ir-A1等的研究和应用表明，M型阴极对于传统的储备式阴极具有逸出功低、发射大、 发射均匀、抗中毒能力强、寿命长等特性，因此已被广泛地应用于真空微波管器件中。我们为了发掘M 型阴极新品种，因此开展了对Re一0s膜1,1型阴极性能的研究，以便获得更加广泛的前景和应用。 2、试验阴极的制备 2．1试验阴极结构 阴极结构确定为间热式阴极，基体与阴极筒连接为镶嵌式，阴极端面为平面，直径中3聊，在阴极 的铝酸盐，膜材料为Re一0s，阴极试验二极管为自行设计的水冷阳极二极管。 2 2试验阴极的覆膜 对M型阴极的覆膜：是在用传统的方法制造出的铝酸盐储备式阴极端面覆Re--Os膜。敷膜的工艺 我们采用的是磁控离子溅射法。加工过程中，首先是对钨基表面进行离子刻蚀，清除阴极表面的污物及 氧化膜，获得一新鲜均匀的表面，以提高阴极发射的均匀性并增加薄膜层的附着力。然后进行等离子体 溅射覆膜。当Re、0s的含量比例确定后，制造出不同的刻蚀的深度和不同膜厚度的阴极，以获得最佳 的阴极性能。 3、研究内容及方法 用以上工艺制成的试验阴极，阴极直径中3mm，制做成自行设计的水冷阳极试验二极管，对阴极的 活性、发射能力、逸卅功及寿命进行测试。二极管的阴阳极间距离控制在(0．5～1)衄之间。 阴极性能测试设备为我厂的《阴极参数自动测试设备》(图7)，可用自动和手动方法测试并绘制阴 极的直流发射、脉冲发射、鉴别阴极活性的降落曲线i进行判断阴极发射能力的偏离点电流和鉴别阴极 活性的特征温度T-、拐点温度Tc、逸出功的计算，并绘制出相关曲线。 3．1阴极活性的研究 在阴极的研究中，我们采用了阴极降落法测试阴极的活性。测试条件：阴极温度1100(2-，支取电 流密度为4A／cm2，阴极发射在降落过程中阳极电压恒定不变。根据降落法测试阴极活性的原理，从测试 的数据中，可以获得判断Re一0s膜M型阴极活性的一些相关数据：阴极的发射由过渡暖=完全进入温度限 制区的拐点温度Tc、相当于理想阴极的转折点的特征温度T-及阴极的逸H{功函数分布。 540 3 1 1阴极的拐点温度厦特征温度 从图1中可以看出．Reos膜Ⅱ垂阴极的拐点温度L=8996C；特征温度T·=9434C。测试6 只阴极的平均k为880C，T·为955C 1—塑竺堕!LJ{：；：；；；；割芒!；i；型：：i；i墨jIL二曼主二J—苎堑兰J ，=最磊并葛；f：墨纂i；；i堡苎…… l 一旷oF…!，厂_三；墨嚣茳；攀 ；睡参萋善≤东_『 圈1 Reds膜M型胡极硝蒋曲线 3 1 2阴极的逸m功分布 根据阴撮的降落曲线，我们用米拉曲线法绘制出阴极的有效遣出功函数分布曲线，如图9所示： i量}_ 一．一一一一。 l||| ；：蓁[：三主三’i。 |i||i|| 赴一：二二二二二．． k=1050C，Jl=6A／c一。 我们对Re-Os膜的M型阴极进行了寿命试验考按。试验条件：阴极温度0 从测得的数据得知寿命3000小时后，在相同的阳极电压下．支取电流由初始的420mk下降为400mA， 下降了约5％，这说明该阴极在0 k-