光子晶体双异构微腔增强掺铒硅基发光效应研究.pdfVIP

2011年全国硅基光电子材料及器件研讨告 光于晶体双异构微腔增强掺铒硅基发光效应研究 王珥，张家顺，吴远大，安俊明，李建光，王红杰，胡雄伟 集成光电子学国家重点实验室，中国科学院半导体研究所，北京 摘要．我们在项层硅掺铒的SOI*寸『底上制作了二维非对称平板三角晶格光子晶体艰异构微 552 腔。室温PL谱中，仅存在一个位于I 2nm通信波长处的很尖锐的发光峰，其发光强度相 对于同等注^条件无光子晶体结构的SOl晶片增强了35倍。随着光泵浦功率的增加，谐振峰 发生了明显的红移，并且O值逐渐下降，在15row泵浦功率下，Q值达3829-同时，实验验 证了微腔谐振峰睫光子晶体结构参数变化的规律。 1、引言 光子晶体微腔结构具有极高的品质因子和极小的模式体积，可以提高微腔内发光物质的 自发辐射效率。对丁间接带隙的硅基材料，光子晶体微腔结构是增强其发光效翠的有效途径r 有挚实现搬低闽值的高性能硅基激光器。本论文在顶层硅掺铒的SOl衬底上设计并制作了一 种基Tmode-gap效应的新型光子晶体取异构微腔结构，测试并分析了不同结构参数以及不同 泵浦功率下的光致发光(PL)谱。 2、器件设计与制作 我们根据光子晶体mode-ga口效应设计了一种二维平板三角晶格光子晶体职异构微腔结 构，如脚1所示。该结构是由三段品格周期口相同．波导非邻近空气孔半径，丰目同，波导宽度 w相同，而渡导最邻近空气孔半径不同的光子晶体波导(PCWI，PCW2-glPCW3)级联而成． 其中，两侧波导PCWI和PCW3的最邻近空气孔半径相同．均为，I，中心波导Pcw2的最邻近 7倍t 审气孔半径为r2=rv．，光子晶体波导宽度w设定为常规光子晶体波导宽度(43a)的0 mode-g如效应限定而成的光子晶体职异构微腔。 ，_ n ，1 PCWI PCW2 PCW3 图l光子晶体积异构微腔结构示意圈 我们利用电子束曝光和lcP刻蚀技术在SOl衬底(顶层硅厚度为200hm，SiO!层厚度为 1．Um)上制作了二维非对称氧化物包层平板三角晶格光子晶体职异构微腔结构．其截面示意 图如2(a)所示。然后．利用离子注入工艺在顶层sl中同时注^铒和氧离子，注八条件为 氧离子的辅助注入是为了降低Er离子拉光的温度淬灭效应，注入之后的样品，在N2气氛下 900C退火处理30分钟．以降低注入损伤并激活Er离子。制作的光子晶体微腔发光结构的 SEM圈像如图2(b)昕示，红圈所示馓腔的放大国像如图2(c)所示．光子品体品格周期口 2011年全国硅基光电f材料及器件研讨会 为43I 为2546nm、2I88nm彝l 254和h／a一-O295。 218．Snm．fl口rla-r：la=O n…d■I‘。J Ⅵ㈣■‘●∞} 圈3光子品体双异构微腔和无光于品体结构 图4不同光泵浦功率下的微腔PL谱 SOl的室温PL谱 2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会 在不同的光泵浦功率下，对图2所示同一微腔样品测试得到的室温PL谱变化如图4所示。 可见，随着泵浦功率的增加(1．5mw-15mw)，发光峰的强度逐渐增强，发光峰发生明显的 红移，Q值逐渐降低。随着泵浦功率的增加，有源层Si的折射率由于热光效应而增大，从而 导致微腔的谐振波长向长波长方向漂移，而有源层的自由载流子吸收效应导致了Q值随着泵 浦功率的增加而降低。在1．5mw的泵浦功率下，Q值达3829。 不变的情况下，我们制作了不同光子晶体周期(414rm-．435nm)的双异构微腔，并对它们进 行室温PL测试，结果如图5所示。由图可见，各微腔的PL谱形状相同，微腔发光峰随着光子 晶体周期的增加向长波长方向移动，并且发光峰波长与晶体周期芘间呈现出明显的线性正 比关系。由此，可以通过调整光子