晶体管及其小信号放大_4.pptVIP

场效应晶体管(FET) 电压控制器件 多子导电 输入阻抗高,噪声低,热稳定好,抗辐射,工艺简单,便于集成,…应用广泛 * * 晶体管及其小信号放大 －场效应管放大电路 §4 场效应晶体管及场效应管放大电路 §4.1 场效应晶体管(FET) N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 IGFET 绝缘栅型 一、结构 § 4.1.1 结型场效应管 栅极 漏极 源极 N沟道 利用PN结反向电压对耗尽层宽度的控制来 改变导电沟道的宽度,从而控制通过的电流 UGS 二、工作原理（以N沟道为例） 正常工作: UGS=0, UDS0V PN结反偏，|UGS|越大则耗尽层越宽，导电沟道越窄，电阻越大。 ID 初始就有沟道， 是耗尽型。 ID受UGS 和UDS的控制 UGS UDS0但较小: ID ID随UDS的增加而线性上升。(UGS固定) N G S D UGS P P UGS负到一定值时,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS ? 0V，漏极电流ID=0A。 ID 夹断电压 UGS ,但UDS增加到 UGS - ,即 UGD= UGS – UDS = 靠近漏极的沟道夹断. 预夹断 UD