实验11磁场的描绘.docVIP

实验11 磁场的描绘 一、实验目的 1、了解霍尔法测磁场的原理。 2、学习用霍尔传感器测量载流线圈的磁场的方法。 3、了解亥姆霍兹线圈磁场的特点。 二、实验原理 1、霍尔效应 将半导体置于图11一1所示的磁场中。半导体长为，宽为b，厚为d，外磁场沿z轴方向。若半导体中通有电流I，沿x轴方向，垂直于，则在垂直于和I，即沿Y方向，出现一个横向电位差，这一现象称霍尔效应，其横向电压称霍尔电压。 图11一1 霍尔效应 设有一横向均匀磁场作用在一束以速度为的电子流上，运动电荷受到的洛仑兹力为： （11一1） 其方向沿负Y轴方向，造成电子流发生偏转，被推向半导体的下侧（M面），在M面上形成负电荷积累，而相对上侧（N面）形成正电荷积累，使M，N面之间建立了电场EH，其方向沿Y轴反向，两侧的霍尔电压VH=EHb 2、霍尔电压VH与外磁场B的关系（高斯计原理） 电子在霍尔电场EH中同样受到一个静电场力： （11一2） 沿Y轴正向，它将阻碍电子向M面积聚。随着积聚电荷的增加，电场不断增强，直到，达到平衡，这时有： （11一3） 设半导体薄片中电子浓度为n，则有： 所以霍尔电压为： （11一4） 式中，称为霍尔系数，它决定于材料的性质（种类，载流子的浓度）；称为霍尔元件的灵敏度，它决定于材料的性质和几何尺寸。对于确定的霍尔片来说是一个常数，常采用单位mV/(mA.KGS)或mV/（mA.T)。 对于选定的霍尔片，保持通过它的工作电流IS值不变时，霍尔电压VH与被测量的磁感应强度B成正比，即 （11—5） 若将测得的VH值进行放大，用电压表来表示，并通过一定的换算，在电压表的表盘上直接以B值来标度，这样就制成了特斯拉计（高斯计）。 3、磁场测定仪测磁场方法 本实验采用的SS95A型集成霍尔传感器制成的高灵敏度毫特斯拉计，可以准确测量0~2.000的磁感应强度。用它探测载流线圈及亥姆霍兹线圈的磁场，准确度比用探测线圈高得多。磁场测定仪是由直流电流源，电流表，毫特计，传感器等组成的，其面板图如图11一2所示。测量时，将被测线圈与直流电流源连接，调“电流调节旋钮”，使测量 图11一2 磁场测定仪的面板图 电流为要求值，然后先断开直流电源输出电路（I=0），调节“调零旋钮”使毫特计为零，以消除地球磁场对实验影响，然后将霍尔传感器放到被测点上，毫特计的示值就是该点的磁感应强度的大小。 4、载流圆线圈轴线上的磁场分布 设圆线圈的平均半径为，匝数为N，在通以电流I时，根据毕奥—萨伐尔定律，可得到载流圆线圈在轴线上某点的磁感应强度： （11一6） 式中为真空磁导率，X为圆心到测点的距离。 当X=0时， （11一7） 5、亥姆霍兹线圈轴线上的磁场分布 图11一3 亥姆霍兹线圈 亥姆霍兹线圈是一对彼此平行且连通的共轴圆形线圈，两线圈内的电流方向一致，大小相同，线圈之间的距离d正好等于圆形线圈的半径R。这种线圈的特点是能在其公共轴线中点附近产生较为广的均匀磁场区。如图11一3所示，设X为轴线上某点P离中点O处的距离，则亥姆霍兹线圈轴线上任意一点的磁感应强度为： （11—8） 当X=0时， （11一9） 三、仪器设备 亥姆霍兹线圈实验装置（），亥姆霍兹线圈磁场测定仪，霍尔传感器。 四、实验内容及步骤 1、载流圆线圈轴线上各点的磁感应强度的测量。 1）将亥姆霍兹线圈中的一个线圈与直流电源连接，调“电流调节旋钮”使测量电流。 2）将探头盒底部的霍尔传感器对准台面上被测量点，（坐标原点为轴线与直径的交点），沿轴线每隔测一个数据（每测量一个数据前，先断开直流电源的输出电路，即电流表显示为零，调节“调零旋钮”，使毫特计显示为零，再接通电源测量）。 3）将测得的磁感强度与理论值相比较。 x/cm -1.00 0.00 1.00 2.00 3.00 4.00 5.00 3、验证磁场迭加原理 1）将两线圈间距d调整至，组成一个亥姆霍兹线圈。 2）取电流值，分别测量两线圈单独通电时，轴线上各点的磁感应强度B(a)和B(b)（以两线圈公共轴线的中点为坐标原点），然后将两线串联（注意磁场方向一致），通相同的电流，测轴上磁感应强度值B（a+b），验证在轴线上的点B(a+b)=B(a)+B(b)。 x/cm -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 B(a)/mT B(b)/mT [B(b)+B(b)]/mT B(a+b)/mT 3）确定均匀磁场区域，计算处磁感应强度的实测值与理论值的相对误差。 2、描绘载流圆线圈通过轴线平面上的磁感应线分布 1）把一张坐标纸粘贴在包含线圈轴线的水平面上，在圆线圈的