Al-%2cx-Ga-%2c1-x-N%2fGaN异质结构中二维电子气有效质量的研究.pdfVIP

20¨a,-8月蚺 ，F十罩^士■化曹-■r斗—¨I捌-韩，埘随—l件和光电●l件学术噜咄 ，}第九属壹蟹■舅雌—‘学木嘈r{叉 Al。Ga-一。N／GaN异质结构中二维电子气有效质量的研究 唐宁1，沈波”，桂永胜2，仇志军2，吕捷1，夏艳1，陈敦军i，赵红1，张 荣1，郑有蚪1，郭少令2，褚君浩2 (3南京大学物理系光电信息功能材料江苏省重点实验室，江苏南京210093) (4．中科院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海200083) 摘妥：在低温和强磁场下对调制掺杂A1叭拈a叭，N／GaN异质结进行了磁输运测量。通过对不同温度下舒勃尼科夫一德哈 斯(SdH)振荡的分析，计算出二维电子气(2DEG)的有效质量。发现其有效质量的大小随磁场的增加而增大。有效质 量的增大与导带的非抛物性有关。 关键词：A1，Ga—N／GaN异质结构；二维电子气：有效质量 PACC：7200 (60136 02