AlGaN中应变状态的研究论文.pdfVIP

2∞4●8月，A ，鼻叶-王‘l士■啪—H■牛●呻‘材*、雠●脾和光’|—忡木_啦， 置第九囊●?■一律—攘学术●U AIGaN中应变状态的研究 张纪才1’，王建峰12，王玉田‘，杨辉‘ (1中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室，北京100083；2．武汉大学物理系，武汉430072) 摘要：本文用x射线衍射和卢瑟福背散射方法研究了生长在GaN上厚度为570nm的AI如ahN外延层中的应变状态。 实验结果显示A／GaN的共格因子(如h)在组分小于0．42时随组分的增加而近似线性减小。并且在n42时达到30％ 外延层的失配变小，使得组分约为0．16的AlxGal．捌外延层可以共格生长在GaN层上 关悯2$x射线衍射川GaN，共格因子，嬲醛挚背散射。 1．引言 A1GaN／GaN异质外延量子阱结构在紫外发光器件等方面具有较大应用前景。但实验发现直接生长 晶体质量有了较大的提高，但是很难获得没有裂缝的较厚的高Al组分外延层，这是因为与A1组分和 的应用及对其物理性质的理解至关重要。X射线衍射(XRD)可以同时测