BST%2fAlGaN%2fGaN铁电%2f半导体异质结构二维电子气研究论文.pdfVIP

第十五层全田化合物半导体、微波捌·件和光电器件掌术会议 广州’08 WED．GaN-102 BST／Al GaN／GaN铁电／半导体异质结构二维电子气研究 孔月婵，薛舫时，周建军，李亮，陈辰 (单片集成电路与模块国家级重点实验室，南京电子器件研究所，南京20016) 摘要：采用自洽计算方法对BST／AIGaN／GaN铁电／半导体异质结构中二维电子气进行研究，通过计入铁电极化随电场变化的非 线性关系，模拟了对该异质结构进行“极化／退极化”(加负／正偏压)后，由铁电极化偶极子翻转导致的-维电子气浓度的变化情 况。当对BST／AlGaN，GaN异质结构进行“极化”后，BST极化偶极子部分反转使得BST／AIGaN界面处感生高浓度负极化电荷， 对_维电子气产牛耗尽作用，而由于极化“钉扎”作用，此时BST的平均极化方向仍与AIGaN中极化方向相同。当对异质结构 进行“退极化”后，BST极化偶极子排列与A1GaN中极化方向相同，二维电子气浓度增加。随AIGaN势垒层厚度减小，BST 极化对二维电