CH-%2c3-CSNH-%2c2-%2fNH-%2c4-OH钝化GaInAsSb%2fGaSb+PIN红外探测器的研究论文.pdfVIP

2004年8月夫堆 整筚九墒金幽b甜体薄腆学木案议 CH3CSNH2／NH40H钝化GaInAsSb／GaSbPIN红外探测器的研究+ 刘延祥12 夏冠群2 唐绍裘1 程宗权2 郑燕兰2 (‘湖南大学材料科学与工程学院，湖南，410082’ (2中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海，200050) 使其暗电流降低一个数量级，动态电阻增大25倍多；且钝化83天后保持良好的钝化效果，取得r与LNH。j2S溶 液一样理想的钝化效果。并采用AES对钝化前后的GalnAsSb材料进行了分析。 关键词：CH3CSNH2／NH40H GalnAsSb钝化， of PassivationontheGaInAsSb／GaSbPIN Research CH3CSNH2／NI-LOH Liu Guanqun2，Tang Yanlan2