InP基2—3μm波段量子阱研究论文.pdfVIP

】亨-I-六屠全固化合物半导体．饿波囊l件和光电舅，件掌术会-ig 西安’10 投稿分类号：OED I la nP基2-3 m波段量子阱研究 顾溢，张永刚‘ (中国科学院上海微系统与信息技术研究所。信息功能材料国家蕈点实验审，上海200050) 摘要：针对hIP基2-3 阱的心变情况。使得在相I州应变最F疆J二阱的发光波长更长。利用气态源分子束外延生长lno，，Ga047As／lnAs数字超品格来等效 构成t角}-if阱结构。通过优化。角鼍‘严阱结构和生长条件参数。使样晶在事温下光致发光波长大于2．4岫．并采刖数字超品 格生长垒层材料进一步改善了醢于阱的发光特性。 关键词： 2-3Itm，应变肇子阱，InP堆 中图分类号：TN2 文献标识码：A 文章编号： ofInP—