InXGal-xN%2fGaN多量子阱结构中的相分凝现象研究论文.pdfVIP

第十=届全国固体薄膜学术会议 南宁2010 InxGal．xN／GaN多量子阱结构中的相分凝现象研究 郭洪英1郭瑁2江飞虹1马思政3陶飞豹1王伟田1孙元平1 1．烟台大学光电信息科学技术学院，山东264005 2．太原理工大学物理学院，山西030024 3．烟台人学化学生物理丁学院，山东264005 摘要：利用变温光荧光(PL)、阴极荧光(CL)以及时间分辨光荧光(TRPL)技术研究了具有不同 渐变In组分的InxGal．xN／GaN多量了阱结构中的相分凝现象。在三个样品的低温光荧光谱中，除 nm处的主峰外，所有的样品都出现了主峰附近的高能和低能峰位，表明在同 了位于430，463，505 一样品中存在具有不同In组分的区域。CL图证明了相分凝现象的存在且随着ln组分的增加而加剧。 而变温光荧光的积分荧光强度分析则表明，激活能随着In组分的增加而减小。15K的TRPL谱的分 析结果显示，随着In组分的增加，谱线的卜升时间变长，这意味着由于相分凝的存在使得载流了在 不同In组分区域输运。 关键词：InxGa