NH-%2c3--MBE+GaN极性研究论文.pdfVIP

GaN极性研究 NH3-M_BE 王军喜+王晓亮孙殿照刘宏新胡国新李晋闽曾一平林兰英 中国科学院半导体研究所材料中心北京100083信箱扛幽埘@嘲Lj蛐血监越 -曩氰化肆(GIN)材料在光电子和徽电子镘域具有t曩的应用港力．而材料极性对氰化锋材料及嚣件每有着重量的影响·我们 撖麓辞方法对所生长的氰化悻材料的极性进行了研究．宣墨霍耳测量显示氰化镓外廷囊的电子迁移奉高达290cmX／V．s· 关■啊：氰化碡．极性，电子迁移翠，分予柬外延 、 1．引言 GaS是一种重要的氮化物材料，由于它有宽的直接带隙和优良的热稳定性及化学稳定性． 在光学和电学方面具有重要应用潜力“，在军用和民用两方砸具有广阔的市场前景。目前GaN 基发光器件、探测器都已经实现了商业化生产。因此近年来GaN材料受到了广泛重视，由于 GaN材料的极性对材料和器件的性质有很大影响，因此成为目前研究的热点． GaN材料主要有两种极性，即镓面(Ga)极性和氮面㈣极性。这方面的研究最早是由 Sasaki5报道的，此后极性的研究成为氮化物研究的热点。研究结果显示极性对单晶材料的表 面形貌6、生长过程中的RH