ZnO单晶的P%2cAs和Sb离子注入研究论文.pdfVIP

第十六层全豳1七古物半謦体。微波量l件和光电鞠l件掌术套议 投稿分类弓：M∞ Zn0单晶的P，As和sb离子注入研究 谢辉，赵有文，董志远，杨俊 (中国科学院、}导体研究所，北京912信箱．10083) 摘要：本文初步研究厂V族离子(P，As，Sb)注入ZnO单晶的性质。为，得剑均匀的掺杂层，我f『J酋先使用SRIM软件进行了 模拟计算．确定了沣入的能铲和剂毒，以便实现A形离了注入层。对汴入的样^^进行r奉u彬的Raman测试，发现不同离子注入 产生的峰相似。另外，我们进{j了室温的光致发光测试，只能观察剑微弱的发光点，但无法探测到发光峰。测试结粜表明注入 产，卜了品格损伤，并引入J，缺陷态。 关键词：Zn0单晶，离了}F入，拉链散射 中图分类弓： 文献标识码： 文章编号： of andSbi oni I antedZnObu1 kSi 1 e I studyP．As mp ng cryst