硅纳米晶敏化铒硅化合物中铒离子的光致发光研究论文.pdfVIP

2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会 硅纳米晶敏化铒硅化合物中铒离子的光致发光研究 金璐，项略略，李东升’，杨德仁 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州玉泉310027 摘要 本文运用电子束蒸发的方法制备了厚度约300nm的Er-Si-O薄膜，并且通过高温热处理 将硅纳米晶和铒硅化合物颗粒引入到Si0。基质中，实现了硅纳米晶对铒硅化合物的敏化作 9％。透射电镜(TEM)发现硅纳米晶和硅酸铒的粒径分别为5nm和50nm。光致发光测试表明在 非共振激发的条件下，有硅纳米晶共存的薄膜中铒硅化合物在1540hm处的发光峰值是纯铒 硅化合物的发光强度的8倍。由于硅纳米晶的能量传递作用。硅纳米晶的引入展宽了铒硅化 合物的激发光谱，并减少了铒的辐射复合寿命。 关键词：硅纳米晶，铒硅化合物，光致发光(PL) 引言 铒对硅基光互连来说是一种非常重要的元素，这是因为Er3+离子从第一激发态(4IⅢz)跃 迁到基态(。I，彰：)发出波长为1540r蚺的特征峰，正好对应石英光纤的最低损耗值。过去的几 年中，人们对单晶硅掺铒体系【1—3】，硅纳米晶掺铒体系【4-6]以及硅酸铒体系【7-9]进 行了深入研究。在单晶硅掺铒体系中，目前已经实现了电致发光【2】．但是，该体系存在严 重的浓度淬