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闪存存储器的浮栅耦合电位研究 董国生 上海交通大学微电子学院，上海（200000） E-mail ：dgs79@163.com 摘 要：本文首先介绍了分栅闪存存储器的器件结构及其通常情况下擦除、编程、和读取时 的字线电位、源线电位、位线电位和操作时间等在内的操作条件, 然后详细阐述了该器件结 构浮栅单元通过 F-N 电子隧穿和沟道热电子注入来进行擦除和编程的工作原理以及在控制 栅和叠栅的水平和垂直方向上的电场分布。在对存储器的器件结构和工作原理的介绍的基础 之上，对标准叠栅和分栅结构分别建立了平板电容理论模型，从而进一步得到了浮栅电位的 耦合系数模型。模型的建立非常有利于现实工作中进行闪存性能和失效模式的分析，从而可 以更快更有效地改进闪存工艺，提高闪存性能。 关键词：分栅闪存器件，热载流子, 浮栅耦合系数，电容系统模型 中图分类号：TN386.1 1．引言 随着闪存设计思路的不断进步和生产工艺的不断的更新，如何在小尺寸（0.13um或者以 下）条件下保证