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中国大功率半导体器件市场前景分析 2009-7-1 15:43:19 来源：中国自动化网 　　我国将节能降耗作为国家的基本国策之一，功率半导体器件的发展及推广应用是节能的重要技术手段。在此前提下，探究国内外大功率半导体的技术趋势以及各行业应用发展现状，为国内该行业的发展提供参考，最终提高国内电力电子技术应用程度的普及提升。 1大功率半导体器件的定义范围 　　依据中国电力电子协会主要功率半导体器件会员单位以及国际同行的主导产品结构，我们将大功率半导体拆分为三大类产品便于统计分析，即：200A以上大功率晶闸管、25A以上晶闸管及整流模块、50A以上大功率IGBT。 2市场总体特点 　　大功率半导体技术已日益广泛地应用和渗透到电力、冶金、装备制造业、交通运输、国防等重点领域；并在新能源技术、激光等现代加工技术、高铁等前沿领域得到普及，总体来看，只要涉及到大功率的用电场合，以大功率半导体器件为核心的电力电子技术正逐步得到普及和提升。 　　近年来，我国功率半导体器件的发展十分迅速。产品的应用上，中小功率场合，晶闸管及整流模块、IGBT逐步得到较广泛的应用；大功率场合，仍以晶闸管为主。目前国内的功率器件制造，主要为晶闸管及其模块，只有几条小规模的IGBT后道封装线，还不完全具备研发、制造管芯的能力以及大功率IGBT的封装能力。 3大功率半导体器件的发展趋势 　　现代大功率半导体器件及其控制技术正朝以下几个方向发展： 　　（1）大电流、高压：现代电力电子器件正向大电流高压方向发展，以适应高压领域对电力电子器件快速需求的趋势，尤其在高压直流输电、高压电力无功补偿、高压电机、变频器等领域。 　　（2）高频化：从高压大电流的GTO到高频多功能的IGBT、MOSFET，其频率已从数千HZ到几十KHZ、MHZ。这标志着电力电子技术已进入高频化时代。 　　（3）集成化、智能化：几乎所有全控型器件都由许多的单元胞管子并联而成（IGBT、GTO）。 4主要国家或经济体大功率半导体市场规模及发展趋势分析 表1 2005年－2010年全球不同国家的大功率半导体市场规模(亿元) 国家或地区 2005年 2006年 2007年 2008年 2009年 2010年 美国 11.49 12.09 12.78 13.45 14.27 15.19 日本 15.23 15.98 16.76 17.54 18.32 19.15 欧洲 19.83 21.36 23.17 25.04 26.98 29.12 中国 29.76 35.49 42.55 51.35 62.07 75.67 其他 15.42 17.67 20.43 23.66 27.04 31.29 合计 91.73 102.59 115.69 131.04 148.68 170.42 资料来源：issuply 　　（1）美国：美国是电力电子器件的发源地，在全球电力电子器件市场中占有重要的位置。但近年来，电力电子器件生产逐步转移到欧洲及发展中国家，市场规模增长有限。美国著名的大功率半导体器件厂商有IR等。 　　（2）日本：从上世纪90 年代开始，日本一直是全球的电力电子器件的最大市场，占全球市场的30%以上。2000 年以后，亚洲成为电力电子器件最大的消费地区后，日本市场所占比率逐步下降。 　　日本电力电子器件厂商主要有Toshiba、Fuji Electric、SanRex、Mitsubishi。 　　（3）欧洲：是全球电力电子器件研发生产和市场发达的地区，拥有全球著名的ABB、INFINEON、DYNEX、Semikron等。 　　（4）中国：近年来随着中国经济的持续发展以及国家在电力、交通及基础设施的大规模投入，电力电子器件市场发展迅速，在全球市场中所占的份额越来越大。已成为全球最大的大功率电力电子器件需求市场。 5中国大功率半导体器件市场分析 　　由于中国经济的快速发展，中国目前已经成为全球最大的大功率分立器件市场。据统计，2008年中国的大功率分立器件市场规模达到了51.35亿元人民币，在全球市场中占到了39.19%的份额。预计未来5年，中国大功率分立器件市场销售额将保持20%的年均复合增长率，到2010年市场销售额将达到75.67亿元人民币,全球市场占比预计也将超过47.40%。 表2 2005年-2010中国不同种类的大功率半导体需求市场规模（亿元） 器件种类 2005年 2006年 2007年 2008年 2009年 2010年 大功率晶闸管 5.63 7.03 8.72 11.07 14.04 18.10 晶闸管及整流模块 16.09 19.06 22.66 27.04 32.38 38.92 IGBT 8.04 9.41 11.17 13.24 15.65 18.65 合计 29.76 35.5