Cu(In,Ga)Se2薄膜表面镓(Ga)含量分布对太阳电池性能的影响.pdfVIP

第39卷 第 1期 人 工 晶 体 学 报 Vo1．39 No．1 2010年2月 JOURNAL 0F SYNTHETIC CRYSTALS February，2010 Cu(In，Ga)Se2薄膜表面镓 (Ga)含量 分布对太阳电池性能的影响 王 赫，刘芳芳，孙 云，何 青，张 毅，李长健 (南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室，天津300071) 摘要：本文利用三步法共蒸发制备 cu(In，Ga)se多晶薄膜吸收层 ，通过改变第三步 Ga的蒸发温度控制薄膜表面 Ga的含量及其分布。随着吸收层表面Ga含量的增大，空间电荷区带隙变宽，电池的开路电压 明显增大。同时， Ga的梯度分布有效地扩宽了吸收层的光谱响应范围，减小了由于禁带宽度增大所引起的短路电流 ．，的损失，从而 有效地提高了电池的转换效率。 关键词：Ga梯度分布；吸收层表面；开路电压Vo；短路电流_， 中图分类号：TM615 文献标识码：A 文章编号：1000．985X(2010)O1-0052-05 GalliumGradingontheSurfaceofCu(In，Ga)Se2Absorber andItsEffectson thePerformanceofSolarCells WANGHe，LIUFang扣ng，SUNYun，HEQirtg，ZHANGYi，LIChang-jiart (TianjinKeyLaboratoryofPhotoelcctronicThinFilmDeviceandTechnology．InstituteofPhoto—electronic ThinFilm DeviceandTechnoloyg ，NankaiUniversity， Tianjin300071，China) (Received14和ril2009，accepted3May2009) Abstract~Cu(In，Ga)Se2thinfilmswerepreparedbythree-stageCO-evaporationprocess．Bychanging thesourcetemperatureofgallium inthethirdstep，thegallium contentsanddistributiononthesurfaceof theabsorberscouldbecontrolled．Withtheincreaseofgallium contentontheSUrfaceofthethinfilm the ． bandgapofSpaceChargeRegion(SCR)waselevated，whichresultedintheincreaseoftheopencircuit voltageofsolarcells．Inaddition，asgallium gradingexpandedtherangeofspectrum responseofCIGS thinfilms，thelossoftheshortcircuitcurrentdecreased，whichleadtoanimprovementfortheefficiency ofsolarceHs． Keywords：gallium grading；thesurfaceofabsorbers；opencircuitvoltage ；shortcircuitcurrentJ 1 引